[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201410240517.8 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN104022128B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發明(設計)人: | 楊盛際;董學;王海生;薛海林;劉英明;趙衛杰;劉紅娟;丁小梁;王磊;王春雷 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:襯底基板,位于所述襯底基板上的柵極和柵線,位于所述柵極和柵線所在膜層上的有源層;其特征在于,還包括:
與所述有源層同層設置且電性絕緣的像素電極;
位于所述有源層和像素電極所在膜層上的漏極、源極和數據線;其中,所述漏極與像素電極直接電性連接;
位于所述漏極、源極和數據線所在膜層上,且與所述漏極、源極、數據線和像素電極電性絕緣的公共電極層和多條導線;
其中,所述導線與所述公共電極層異層設置,所述公共電極層包括多個同層設置且相互絕緣的自電容電極,且每條所述導線通過過孔與對應的自電容電極電性連接。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導線所在膜層位于所述漏極、源極和數據線所在膜層和所述公共電極層之間。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述漏極、源極和數據線所在膜層和所述公共電極層之間設置有鈍化層;
所述導線所在膜層位于所述鈍化層和所述公共電極層之間;
所述陣列基板還包括:
包含所述過孔的第一絕緣層,位于所述導線所在膜層和所述公共電極層之間;
其中,所述導線通過所述第一絕緣層包含的過孔,與所述自電容電極電性連接。
4.如權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極和柵線所在膜層與所述有源層和像素電極所在膜層之間設置有柵絕緣層。
5.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導線所在膜層位于所述公共電極層之上。
6.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
包含所述過孔的第二絕緣層,位于所述導線所在膜層和所述公共電極層之間;
其中,所述導線通過所述第二絕緣層包含的過孔,與所述自電容電極電性連接。
7.如權利要求1~6任一所述的陣列基板,其特征在于,所述導線在所述襯底基板上的正投影位于所述數據線在所述襯底基板上的正投影內;和/或
所述導線在所述襯底基板上的正投影位于所述柵線在所述襯底基板上的正投影內。
8.如權利要求1~6任一所述的陣列基板,其特征在于,將所述導線作為在顯示掃描時間內向所述公共電極層供電的公共電極線使用。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1~8任一項所述的陣列基板。
10.一種如權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成所述柵極和柵線;
在所述柵極和柵線所在膜層上形成同層設置且電性絕緣的所述有源層和像素電極;
在所述有源層和像素電極所在膜層上形成所述漏極、源極和數據線;其中,所述漏極與像素電極直接電性連接;
在所述漏極、源極和數據線所在膜層上形成與所述漏極、源極、數據線和像素電極電性絕緣的公共電極層和多條導線;
其中,所述導線與所述公共電極層異層設置,所述公共電極層包括多個同層設置且相互絕緣的自電容電極,且每條所述導線通過過孔與對應的自電容電極電性連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





