[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410240041.8
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN104576734B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設計）人: 柳惟信;吳寶石;孫振榮
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;陳煒

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

所述襯底中的阱區(qū)域和隔離區(qū)域；

設置在所述阱區(qū)域中的漏極區(qū)域和源極區(qū)域；

設置在所述阱區(qū)域上方的柵極電極；

設置在所述柵極電極下面的薄柵極絕緣層和厚柵極絕緣層，所述厚柵極絕緣層被設置成比所述薄柵極絕緣層更靠近所述漏極區(qū)域；以及

設置在所述柵極電極下方并且從所述漏極區(qū)域延伸到所述阱區(qū)域在所述薄柵極絕緣層下面的部分的延伸漏極結區(qū)域，

其中所述延伸漏極結區(qū)域與所述薄柵極絕緣層的一部分和所述厚柵極絕緣層重疊，

其中所述柵極電極被設置成與同所述延伸漏極結區(qū)域重疊的所述厚柵極絕緣層的整個長度重疊，以及

其中與所述薄柵極絕緣層的一部分和所述厚柵極絕緣層重疊的延伸漏極結區(qū)域相對于所述襯底的頂表面的深度比所述隔離區(qū)域的深度淺。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述阱區(qū)域是第一傳導類型區(qū)域，所述漏極區(qū)域和所述源極區(qū)域是第二傳導類型區(qū)域，并且所述延伸漏極結區(qū)域是第二傳導類型區(qū)域。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述延伸漏極結區(qū)域具有從所述漏極區(qū)域到所述阱區(qū)域的一部分的平坦的頂表面。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述延伸漏極結區(qū)域與所述柵極電極重疊的長度大于所述柵極電極與所述厚柵極絕緣層重疊的長度。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體器件，其中所述柵極電極與所述厚柵極絕緣層重疊的長度和所述延伸漏極結區(qū)域與所述柵極電極重疊的長度之間的差等于或小于0.1μm。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極絕緣層和所述漏極區(qū)域之間的半導體區(qū)域的上表面是共面的。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述延伸漏極結區(qū)域具有至的深度。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中第一傳導類型的所述阱區(qū)域被設置成具有比所述隔離區(qū)域的深度深的深度。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中所述漏極區(qū)域在所述延伸漏極結區(qū)域中形成并且通過所述阱區(qū)域與所述源極區(qū)域隔離。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，進一步包括在所述延伸漏極結區(qū)域和所述漏極區(qū)域之間的第二傳導類型中阱區(qū)域。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中所述第二傳導類型中阱區(qū)域接觸所述阱區(qū)域。

12.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

在襯底中形成阱區(qū)域和隔離區(qū)域；

在所述襯底的所述阱區(qū)域中形成延伸漏極結區(qū)域；

形成薄柵極絕緣層和厚柵極絕緣層，使得在所述阱區(qū)域中所述薄柵極絕緣層的一部分和所述厚柵極絕緣層與所述延伸漏極結區(qū)域重疊；

在所述薄柵極絕緣層和所述厚柵極絕緣層中的每個的整個頂表面上形成柵極電極；以及

在所述柵極電極兩側(cè)形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域，

其中所述延伸漏極結區(qū)域在所述阱區(qū)域中從所述漏極區(qū)域延伸到在所述薄柵極絕緣層下面的部分，

其中在形成所述延伸漏極結區(qū)域之后形成所述柵極電極，以及

其中與所述薄柵極絕緣層的一部分和所述厚柵極絕緣層重疊的延伸漏極結區(qū)域的相對于所述襯底的頂表面的深度比所述隔離區(qū)域的深度淺。

13.根據(jù)權利要求12所述的用于制造半導體器件的方法，進一步包括：

在所述襯底中形成深阱區(qū)域，所述深阱區(qū)域與所述薄柵極絕緣層或所述厚柵極絕緣層重疊。

14.根據(jù)權利要求12所述的用于制造半導體器件的方法，其中所述薄柵極絕緣層被形成為較之所述厚柵極絕緣層更靠近所述源極區(qū)域。