[發(fā)明專利]一種改善柵氧厚度均勻性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410239131.5 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN105225934B | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈建飛;范建國 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 厚度 均勻 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種改善柵氧厚度均勻性的方法。
背景技術(shù)
目前半導(dǎo)體業(yè)界常用的石英管材料有兩種加工工藝:一種是電熔石英,在連續(xù)熔制法加工過程中,石英砂由頂部緩慢進(jìn)入坩堝,坩堝外側(cè)裝有電加熱元件,外部由耐火材料包圍。熔融后的二氧化硅從爐底部成型口流出,根據(jù)所要求的管棒的規(guī)格通過下拉速度進(jìn)行控制。典型的電熔石英管材料有GE214,GE224,HSQ300,HSQ330。另外一種是氣熔石英,將石英砂通過氫/氧燃燒器噴到保溫爐內(nèi)的石英基板上,石英基板不斷旋轉(zhuǎn)并緩慢下降,不斷噴出的石英砂在氫氧焰的高溫呈為熔融狀,熔融石英向下流動使圓柱狀石英碇變大,直到達(dá)到客戶的要求。典型氣熔石英管材料有Tosoh N,OP-1,OP-3,HSQ-351,HSQ-751。
以上兩種工藝制成的石英管最大的區(qū)別在于其中的羥基含量不同。在氣熔工藝制成的石英管中,由于用到氫氧焰熔融,其羥基含量是電熔工藝的幾十倍之多。而電熔工藝機(jī)械化程度高,生產(chǎn)出來的石英管產(chǎn)品規(guī)格一致性好、原材料消耗低、產(chǎn)量大,因此受到半導(dǎo)體業(yè)界的歡迎。但是電熔石英管在作為生長柵氧的裝置時,由于其羥基含量低,會給柵氧的的生長帶來負(fù)面的影響。
具體地,在進(jìn)行柵氧氧化生長過程中,通常會采用二氯乙烯DCE(C2H2Cl2)作為催化劑來提高柵氧的氧化速度,該過程中發(fā)生的化學(xué)方程式如下:
C2H2Cl2+O2→HCl+H2O+CO2 (1)
由于電熔石英管1內(nèi)羥基含量很少,因此在石英管管壁會存在很多的Si-O-懸掛鍵,這些Si-O-懸掛件會吸附DCE氧化過程中所生成的HCl中的H+(即發(fā)生方程式3的反應(yīng)),使H+減小,從而打破化學(xué)方程式(2)的平衡,使向右移動,激活Cl-,這些Cl-使邊緣生成的柵氧厚度偏厚,導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷。
目前業(yè)界通常采用設(shè)置程式限制來規(guī)避羥基的影響或者利用是氧化工藝(H2和O2點火)來提升羥基含量,如圖1所示,但是這種方法在熱處理時還存在脫羥的狀態(tài),不能很好的避免電熔石英管材料對制程的影響。
因此,如何提高石英管內(nèi)的羥基含量,降低石英管對柵氧厚度均勻性的影響是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種改善柵氧厚度均勻性的方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中石英管羥基含量低導(dǎo)致柵氧工藝中生長的柵氧邊緣厚度偏厚的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種改善柵氧厚度均勻性的方法,該方法在石英管裝置中進(jìn)行,所述改善柵氧厚度均勻性的方法至少包括以下步驟:
通入一定流量比例的氘氣和氧氣至所述石英管,并進(jìn)行點火使所述氘氣和氧氣反應(yīng)生成D2O,該D2O與所述石英管管壁上的Si-O-懸掛鍵中和形成Si-O-D,從而避免石英管管壁上的Si-O-懸掛鍵影響柵氧生長厚度的均勻性。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述氘氣和氧氣的流量比例范圍為1:1~5:1。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述石英管內(nèi)的反應(yīng)溫度在1000~1200℃范圍內(nèi)。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述石英管內(nèi)的反應(yīng)壓力在0.8~1.5atm范圍內(nèi)。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述點火反應(yīng)生成D2O的反應(yīng)時間范圍為1~3小時。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述石英管中還通入二氯乙烯作為柵氧生長的催化劑,所述二氯乙烯由氮氣攜帶進(jìn)入所述石英管。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,所述氮氣的流量范圍為0.1~5sccm。
作為本發(fā)明改善柵氧厚度均勻性的方法的一種優(yōu)化的方案,采用濕氧氧化工藝生長形成柵氧,柵氧厚度范圍為20~200埃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





