[發明專利]一種改善柵氧厚度均勻性的方法有效
| 申請號: | 201410239131.5 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN105225934B | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發明(設計)人: | 沈建飛;范建國 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 厚度 均勻 方法 | ||
1.一種改善柵氧厚度均勻性的方法,該方法在石英管裝置中進行,其特征在于,所述改善柵氧厚度均勻性的方法至少包括步驟:
通入一定流量比例的氘氣和氧氣至所述石英管中,并進行點火使所述氘氣和氧氣反應生成D2O,該D2O與所述石英管管壁上的Si-O-懸掛鍵中和形成Si-O-D,使之不會打破柵氧生長時的化學平衡,減少Cl-的生成濃度,從而避免石英管管壁上的Si-O-懸掛鍵影響柵氧生長厚度的均勻性。
2.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述氘氣和氧氣的流量比例范圍為1:1~5:1。
3.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述氘氣和氧氣的點火溫度在1000~1200℃范圍內。
4.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述石英管內的反應壓力在0.8~1.5atm范圍內。
5.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述點火反應生成D2O的反應時間范圍為1~3小時。
6.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述石英管中還通入二氯乙烯作為柵氧生長的催化劑,所述二氯乙烯由氮氣攜帶進入所述石英管。
7.根據權利要求6所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:所述氮氣的流量范圍為0.1~5sccm。
8.根據權利要求1所述的改善柵氧厚度均勻性的方法,其特征在于:采用濕氧氧化工藝生長形成柵氧,所述柵氧厚度范圍為20~200埃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





