[發明專利]小腳印半導體封裝

有效

• 申請號: 201410236577.2
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN104218007B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 龍登超;陳天山
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張濤,徐紅燕

1.一種半導體封裝，包括：

半導體管芯,具有相對的第一主表面和第二主表面、與所述第一主表面和所述第二主表面垂直設置的邊緣、在所述第一主表面處的第一電極以及在所述第二主表面處的第二電極；

第一端子，附接到所述第一電極；

第二端子，附接到所述第二電極；

模制化合物，包圍所述半導體管芯以及所述第一端子和所述第二端子的至少一部分，從而所述第一端子和所述第二端子中的每一個具有平行于并且背對所述半導體管芯的側面，該側面保持為至少部分未被所述模制化合物覆蓋；以及

突起，從所述模制化合物形成，或者從所述模制化合物突出出來，所述突起被設置在所述第一端子與所述第二端子之間，并且在所述半導體封裝的同一側面處比所述第一端子和所述第二端子向外延伸得更遠，

其中所述突起包括與所述第一端子和所述第二端子不同的材料。

2.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述突起包括所述半導體管芯的一部分，從而所述半導體管芯在所述半導體封裝的同一側面處比所述第一端子和所述第二端子向外延伸得更遠。

3.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述半導體管芯是功率晶體管管芯，所述第一電極是所述功率晶體管管芯的源極電極，所述第二電極是所述功率晶體管管芯的漏極電極，并且所述功率晶體管管芯進一步在管芯的與所述源極電極或所述漏極電極相同的表面處具有柵極電極，所述半導體封裝進一步包括：

第三端子，附接到所述柵極電極，

其中，所述模制化合物包圍所述第三端子的至少一部分，從而所述第三端子具有平行于并且背對所述半導體管芯的側面，該側面保持為至少部分未被所述模制化合物覆蓋，并且所述突起在所述半導體封裝的與所述第一端子和所述第二端子相同的側面處比所述第三端子向外延伸得更遠。

4.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述半導體管芯被包圍在由所述模制化合物和端子形成的空氣腔內。

5.如權利要求1所述的半導體封裝，進一步包括：致冷結構，被圖案化到所述第一端子和所述第二端子中的至少一個的至少部分未被覆蓋的側面，以用于增加該側面的表面面積。

6.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一端子和所述第二端子中的每一個具有在相應端子的至少部分未被覆蓋的側面的端部處所設置的一個或更多個接觸焊盤。

7.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一端子和所述第二端子在每個端子的整個長度上具有均勻的橫截面面積。

8.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述半導體管芯的邊緣在所述第一端子和所述第二端子的一個端部處與端子齊平。

9.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一端子和所述第二端子的每一個具有被所述模制化合物覆蓋的第一端部以及至少部分未被所述模制化合物覆蓋的相對的第二端部。

10.如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述第一端子和所述第二端子的每一個具有帶有凹槽的第一端部以及帶有凹槽的相對的第二端部，并且其中，所述模制化合物填充在端子的所述第一端部處的凹槽和在端子的所述第二端部處的凹槽。

11.一種半導體封裝，包括：

半導體管芯,具有相對的第一主表面和第二主表面、與所述第一主表面和所述第二主表面垂直設置的邊緣、在所述第一主表面處的第一電極以及在所述第二主表面處的第二電極；

第一端子，附接到所述第一電極；

第二端子，附接到所述第二電極；

模制化合物，包圍所述半導體管芯以及所述第一端子和所述第二端子的至少一部分，從而所述第一端子和所述第二端子中的每一個具有平行于并且背對所述半導體管芯的側面，該側面保持為至少部分未被所述模制化合物覆蓋；以及

致冷結構，被圖案化到所述第一端子和所述第二端子中的至少一個的至少部分未被覆蓋的側面，以用于增加該側面的表面面積。

12.如權利要求11所述的半導體封裝，其中，所述致冷結構包括被圖案化到所述第一端子和所述第二端子中的至少一個的至少部分未被覆蓋的側面的翅片型結構。

13.如權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述翅片型結構沿著具有所述致冷結構的至少部分未被覆蓋的側面的寬度延伸。