[發明專利]OLED基板的封裝方法及OLED結構在審
| 申請號： | 201410236277.4 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN103985826A | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發明（設計）人： | 劉亞偉;吳泰必;王宜凡 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 封裝 方法 結構 | ||
1.一種OLED基板的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供OLED基板(1)、及封裝蓋板(3)，所述OLED基板(1)上表面具有金屬陰極(135)；
步驟2、采用離子轟擊對金屬陰極(135)進行表面處理，使金屬陰極(135)的表面形成一薄層金屬氧化物層(5)；
步驟3、對封裝蓋板(3)涂覆封裝膠(7)并設置填充物(9)；
步驟4、將封裝蓋板(3)與OLED基板(1)相對貼合；
步驟5、使用UV光源對封裝膠(7)進行照射使其固化，從而實現封裝蓋板(3)對OLED基板(1)的封裝。
2.如權利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述封裝膠(7)為UV膠。
3.如權利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)的厚度在1nm至30nm之間。
4.如權利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述封裝蓋板(3)為玻璃板。
5.如權利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述離子轟擊處理，在真空環境下或無水的含少量氧氣的氮氣環境中進行。
6.如權利要求5所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述離子轟擊處理在ppm環境的密閉腔體內進行，水含量控制在10ppm以下，氧氣含量控制在100～20000ppm。
7.如權利要求1所述的OLED基板的封裝方法，其特征在于，所述步驟2、3、4、5均在ppm環境下進行。
8.一種OLED結構，包括：OLED基板(1)、密封連接于OLED基板(1)上的封裝蓋板(3)、及設于OLED基板(1)與封裝蓋板(3)之間的填充物(9)，所述OLED基板(1)上表面具有金屬陰極(135)，其特征在于，所述金屬陰極(135)表面具有一薄層金屬氧化物層(5)。
9.如權利要求8所述的OLED結構，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)采用離子轟擊處理在金屬陰極(135)表面形成。
10.如權利要求8所述的OLED結構，其特征在于，所述一薄層金屬氧化物層(5)的厚度在1nm～30nm之間，所述填充物(9)含有透明干燥劑。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
