[發(fā)明專利]SRAM存儲單元及存儲陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410235550.1 | 申請日： | 2014-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN105225690B | 公開（公告）日： | 2018-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王林 | 申請（專利權(quán)）人： | 展訊通信（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sram 存儲 單元 陣列 | ||
1.一種SRAM存儲單元，其特征在于，包括：
第一雙柵PMOS晶體管、第二雙柵PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管；其中，
所述第一雙柵PMOS晶體管的第一柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二雙柵PMOS晶體管的漏極、第二NMOS晶體管的漏極及第二傳輸晶體管的一極連接以形成第一存儲節(jié)點(diǎn)，所述第二傳輸晶體管的另一極連接至第一位線；
所述第二雙柵PMOS晶體管的第一柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一雙柵PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的漏極及第一傳輸晶體管的一極連接以形成第二存儲節(jié)點(diǎn)，所述第一傳輸晶體管的另一極連接至第二位線；
所述第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管的控制極連接至字線，所述第一雙柵PMOS晶體管的源極及第二雙柵PMOS晶體管的源極連接至第一電壓，所述第一NMOS晶體管的源極及第二NMOS晶體管的源極連接至第二電壓；
所述SRAM存儲單元還包括：補(bǔ)償單元；所述補(bǔ)償單元具有第一補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)及第二補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)，所述第一雙柵PMOS晶體管的第二柵極連接至所述第一補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)，所述第二雙柵PMOS晶體管的第二柵極連接至所述第二補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)，所述補(bǔ)償單元適于在所述第一存儲節(jié)點(diǎn)及第二存儲節(jié)點(diǎn)的電壓突變時維持所述第一補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)及第二補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)的電平值；
所述補(bǔ)償單元包括：第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管及第四PMOS晶體管；其中，
所述第一PMOS晶體管的柵極、第三PMOS晶體管的漏極及第四PMOS晶體管的源極連接以形成所述第二補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)，所述第四PMOS晶體管的漏極連接至所述字線，所述第四PMOS晶體管的柵極連接至所述第二存儲節(jié)點(diǎn)；
所述第三PMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極及第二PMOS晶體管的源極連接以形成所述第一補(bǔ)償節(jié)點(diǎn)，所述第二PMOS晶體管的漏極連接至所述字線，所述第二PMOS晶體管的柵極連接至所述第一存儲節(jié)點(diǎn)；
所述第一PMOS晶體管的源極及第三PMOS晶體管的源極連接至所述第一電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一電壓為電源電壓，所述第二電壓為對地電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管為第三NMOS晶體管，所述第二傳輸晶體管為第四NMOS晶體管；
所述第三NMOS晶體管連接第二存儲節(jié)點(diǎn)的一端為源極，連接第一位線的一端為漏極；所述第四NMOS晶體管連接第一存儲節(jié)點(diǎn)的一端為源極，連接第二位線的一端為漏極。
4.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管為第五PMOS晶體管，所述第二傳輸晶體管為第六PMOS晶體管；
所述第五PMOS晶體管連接第二存儲節(jié)點(diǎn)的一端為漏極，連接第一位線的一端為源極；所述第六PMOS晶體管連接第一存儲節(jié)點(diǎn)的一端為漏極，連接第二位線的一端為源極。
5.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一PMOS晶體管與第三PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)相同，所述第二PMOS晶體管與第四PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)相同，所述第一PMOS晶體管/第三PMOS晶體管的晶體管尺寸大于第二PMOS晶體管/第四PMOS晶體管的晶體管尺寸。
6.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一雙柵PMOS晶體管與第二雙柵PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)相同，所述第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)相同，所述第一傳輸晶體管與第二傳輸晶體管的結(jié)構(gòu)相同。
7.如權(quán)利要求1或6所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一雙柵PMOS晶體管/第二雙柵PMOS晶體管的晶體管尺寸大于第一NMOS晶體管/第二NMOS晶體管的晶體管尺寸。
8.如權(quán)利要求1或6所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一雙柵PMOS晶體管/第二雙柵PMOS晶體管的晶體管尺寸與第一NMOS晶體管/第二NMOS晶體管的晶體管尺寸相同。
9.如權(quán)利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一位線和第二位線互為互補(bǔ)位線。
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