[發明專利]緊湊電平位移器

有效

• 申請號: 201410233883.0
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN104218940B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: P.盧
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李芳華

1.一種用于將輸入信號電平位移的裝置，包括：

輸出緩沖器，所述輸出緩沖器具有輸出節點、耦合到高參考電壓的p型場效應晶體管和耦合到低參考電壓的n型場效應晶體管；

第一鎖存器，所述第一鎖存器具有第一鎖存器輸出，所述第一鎖存器輸出經逆變電路元件驅動所述p型場效應晶體管的柵極；

第二鎖存器，所述第二鎖存器具有第二鎖存器輸出，所述第二鎖存器輸出經非逆變電路元件驅動所述n型場效應晶體管的柵極；以及

復位信號脈沖發生器，所述復位信號脈沖發生器接收所述輸入信號并響應于以下生成復位信號脈沖：(1)從高輸入電壓到低輸入電壓的所述輸入信號的躍遷，以及(2)從所述低輸入電壓到所述高輸入電壓的所述輸入信號的躍遷；

其中所述第一和第二鎖存器都由所述復位信號脈沖置于復位態。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述高參考電壓高于所述高輸入電壓；

所述低參考電壓低于所述低輸入電壓；

所述第一鎖存器輸出在置于所述復位態時設定到接地電壓；以及

所述第二鎖存器輸出在置于所述復位態時設定到所述低參考電壓。

3.根據權利要求1所述的裝置，進一步包括：

第二輸出緩沖器，所述第二輸出緩沖器具有逆變輸出節點、耦合到所述高參考電壓的第二p型場效應晶體管和耦合到所述低參考電壓的第二n型場效應晶體管；

其中：

所述第一鎖存器的差分輸出經第二逆變電路驅動所述第二p型場效應晶體管的柵極；以及

所述第二鎖存器的差分輸出驅動所述第二n型場效應晶體管的柵極。

4.根據權利要求3所述的裝置，所述第一鎖存器包括：

一對p型場效應晶體管，所述對p型場效應晶體管具有：(1)共享源極連接和(2)交叉耦合柵極和漏極連接，所述交叉耦合連接分離地連接到正第一鎖存器輸出和負第一鎖存器輸出；以及

一對n型場效應晶體管，所述對n型場效應晶體管具有到接地電壓的共享源極連接；

其中：

所述正第一鎖存器輸出是所述第一鎖存器輸出；以及

所述負第一鎖存器輸出是所述第一鎖存器的所述差分輸出。

5.根據權利要求4所述的裝置，所述第一鎖存器進一步包括：

耗盡型晶體管，所述耗盡型晶體管具有到所述高參考電壓的漏極連接、到所述對p型場效應晶體管的所述共享源極連接的柵極連接，與到所述對p型場效應晶體管的所述共享源極連接的漏極連接；

其中所述復位信號脈沖驅動所述對n型場效應晶體管中的兩個n型場效應晶體管的柵極到所述接地電壓。

6.根據權利要求3所述的裝置，所述第二鎖存器包括：

一對逆變器，所述對逆變器具有共享p型源極連接、共享n型源極連接與一對交叉耦合輸入和輸出節點；

一對n型場效應晶體管，所述對n型場效應晶體管具有到所述低參考電壓的共享源極連接，所述對n型場效應晶體管中的每個n型場效應晶體管分離地連接到所述對交叉耦合輸入和輸出節點中的所述交叉耦合輸入和輸出節點中的一個；

其中所述對交叉耦合輸入和輸出節點中的所述交叉耦合輸入和輸出節點中的一個是所述第二鎖存器輸出。

7.根據權利要求6所述的裝置，所述第二鎖存器進一步包括：

p型場效應晶體管，所述p型場效應晶體管具有到接地電壓的源極連接、柵極節點和到所述對逆變器的所述共享p型源極連接的漏極連接；

其中所述復位信號脈沖驅動所述柵極節點到接地電壓，并驅動所述對n型場效應晶體管中的兩個n型場效應晶體管的柵極到所述低參考電壓。

8.根據權利要求7所述的裝置，其中在沒有所述復位信號脈沖的情況下所述柵極節點驅動到所述低參考電壓。