[發明專利]一種新型薄膜電阻

在審

• 申請號: 201410233208.8
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN103971868A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 李文武
• 申請（專利權）人: 昆山福燁電子有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/084;H01C1/01
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術領域

本發明涉及一種電阻，具體涉及一種具有良好的熱穩定性的薄膜電阻，屬于電子元器件領域。

背景技術

薄膜電阻具有比表面積大、能承受大功率等眾多優點，隨著新興電子產業的發展，薄膜電阻的需求缺口越來越大，而且對質量和性能的要求也越來越高，由于薄膜電阻在使用時不可避免地產生熱量，而熱量的堆積對于電阻的性能、壽命都有很大的影響，所以，迫切需要一種散熱性好、熱穩定性優的薄膜電阻，以滿足高端市場的需求。

發明內容

為解決現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種散熱性能佳、熱穩定性好的薄膜電阻。

為了實現上述目標，本發明采用如下的技術方案：

一種新型薄膜電阻，包括散熱金屬底座層、設置于散熱金屬底座層上的絕緣基板層，所述絕緣基板層的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽內設有電阻膜層并且電阻膜層的頂面為平面，所述電阻膜層的頂面邊緣及兩側形成有一對電極，所述電極包括：頂部電極和引出電極，所述頂部電極的上表面及裸露的電阻膜層上表面均覆蓋有絕緣保護層。

前述散熱金屬底座層由銅或鋁制成，所述絕緣基板層由陶瓷制成。

前述電阻膜層由氮化鉭或鎳鉻合金蒸鍍至絕緣基板層表面。

前述電極的材料為鉭或鎳或銅。

前述絕緣保護層為二氧化硅。

前述電阻膜層最厚處的厚度不超過最薄處的厚度的兩倍。

前述電阻膜層最薄處的厚度為5-10微米。

前述弧形槽的深度大于絕緣基板層厚度的一半。

前述散熱金屬底座層的長度大于絕緣基板層的長度。

本發明的有益之處在于：本發明的薄膜電阻在絕緣基板層下方設置了散熱金屬底座層，大大優化了電阻的散熱性能，使得薄膜電阻的熱穩定性更好，即電阻的電學特性隨溫度變化不明顯；此外，絕緣基板層的上表面形成一個弧形槽，將電阻膜層蒸鍍于弧形槽內，在不增加電阻體積的基礎上提高了電阻的耐受功率，優化了產品的性能。

附圖說明

圖1是本發明的一種新型薄膜電阻的結構示意圖。

圖中附圖標記的含義：1、散熱金屬底座層，2、絕緣基板層，21、弧形槽，3、電阻膜層，4、電極，41、頂部電極，42、引出電極，5、絕緣保護層。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明作具體的介紹。

參見圖1，本發明的一種新型薄膜電阻，包括散熱金屬底座層1、設置于散熱金屬底座層1上的絕緣基板層2，散熱金屬底座層1的長度大于絕緣基板層2的長度，優選地，散熱金屬底座層1由銅或鋁制成，絕緣基板層2由陶瓷制成。本發明的一大創新之處在于絕緣基板層2的上表面形成有一弧形槽21，電阻膜層3蒸鍍于弧形槽21內并且其頂面為平面，也就是說，電阻膜層3的底面為弧形面，頂面為平面。這樣一來，在不增加電阻本身體積的前提下，相比于傳統結構的薄膜電阻，所能耐受的最大功率提高了近50%，優選的電阻膜層3材料為氮化鉭或鎳鉻合金。

同時，在電阻膜層3的頂面邊緣及兩側形成有一對電極4，電極4也可以是采用蒸鍍的方法制成的，優選的電極4材料為鉭或鎳或銅，具體包括：頂部電極41和引出電極42。最后，在頂部電極41的上表面及裸露的電阻膜層3上表面均覆蓋有絕緣保護層5，優選的保護層材料為二氧化硅。

作為一種優選，電阻膜層3最厚處的厚度H1不超過最薄處的厚度H2的兩倍，而且最薄處的厚度為5-10微米。進一步地，弧形槽21的深度D1大于絕緣基板層2厚度D2的一半。

本實施例的新型薄膜電阻，結構新穎，對各層材料進行選擇和合理配制，同時優化了電阻膜層3、絕緣基板層2的結構和厚度，使得電阻的散熱性能卓越，隨著使用時間的增加，電阻的阻值波動幅度很小，即電阻的熱穩定性很好。

以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征和優點。本行業的技術人員應該了解，上述實施例不以任何形式限制本發明，凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術方案，均落在本發明的保護范圍內。