[發(fā)明專利]一種新型薄膜電阻在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410233208.8 | 申請日： | 2014-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN103971868A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李文武 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山福燁電子有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/00 | 分類號： | H01C7/00;H01C1/084;H01C1/01 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215325 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 薄膜 電阻 | ||
1.一種新型薄膜電阻，其特征在于：包括散熱金屬底座層、設(shè)置于散熱金屬底座層上的絕緣基板層，所述絕緣基板層的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽內(nèi)設(shè)有電阻膜層并且電阻膜層的頂面為平面，所述電阻膜層的頂面邊緣及兩側(cè)形成有一對電極，所述電極包括：頂部電極和引出電極，所述頂部電極的上表面及裸露的電阻膜層上表面均覆蓋有絕緣保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述散熱金屬底座層由銅或鋁制成，所述絕緣基板層由陶瓷制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述電阻膜層由氮化鉭或鎳鉻合金蒸鍍至絕緣基板層表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述電極的材料為鉭或鎳或銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述絕緣保護(hù)層為二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述電阻膜層最厚處的厚度不超過最薄處的厚度的兩倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述電阻膜層最薄處的厚度為5-10微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述弧形槽的深度大于絕緣基板層厚度的一半。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于：所述散熱金屬底座層的長度大于絕緣基板層的長度。
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