[發明專利]一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410232647.7
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN104022126B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 孫建;陳鵬駿;李成;安星俊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術

由于非晶硅存在因本身自有的缺陷而導致的開態電流低、遷移率低、穩定性差等問題，使它在很多領域受到了限制，為了彌補非晶硅本身缺陷，擴大在相關領域的應用，低溫多晶硅(Low?Temperature?Poly-Silicon，LTPS)技術應運而生。

隨著薄膜晶體管液晶顯示技術(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)技術的發展，基于低溫多晶硅的顯示技術逐漸成為主流。如圖1和圖2所示，現有技術中的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板主要包括：襯底基板01、緩沖層02、有源層03、柵電極06、源電極05、漏電極04、公共電極07、像素電極08、柵絕緣層09、中間介電層10、平坦層11和鈍化層12。進一步地，在薄膜晶體管為頂柵型結構的陣列基板中，如圖2所示，為了避免光線照射到有源層03從而影響薄膜晶體管的性能，在陣列基板中，在緩沖層02與有源層03之間還設置有避免光線照射到有源層03上的金屬屏蔽層13。

隨著像素技術開發的需求，如何增大存儲電容成為一個重要的關注點，現有技術中為達到增大存儲電容的目的，如圖2所示，在薄膜晶體管為頂柵型結構的陣列基板中，利用位于緩沖層02下方的金屬屏蔽層13與有源層03形成存儲電容來增大存儲電容。具體地，為了在金屬屏蔽層13上施加公共電極信號，金屬屏蔽層13需要通過位于柵極絕緣層09上的第一連接部14，以及位于中間介電層10上的第二連接部15與公共電極07電性連接；其中，第一連接部14通過貫穿柵極絕緣層09和緩沖層02的過孔與金屬屏蔽層13電性連接，第二連接15通過貫穿中間介電層10的過孔與第一連接部14電性連接，公共電極07通過貫穿平坦層11的過孔與第二連接部15電性連接。

上述結構的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板，雖然可以利用金屬屏蔽層與有源層形成存儲電容，但為了實現金屬屏蔽層13和有源層03形成存儲電容的目的，在制備時，為了使金屬屏蔽層13與公共電極07電性連接，需要單獨增加一道掩膜(Mask)工藝形成貫穿柵極絕緣層09和緩沖層02的過孔，使用于電性連接公共電極07和金屬屏蔽層13的第一連接部14通過該過孔與金屬屏蔽層13電性連接，從而導致上述低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板在制備時產生制造流程比較繁多，成本比較高，耗時比較長等問題。

發明內容

本發明實施例提供的一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置，用以在實現增大陣列基板存儲電容的情況下解決現有技術中的工藝復雜、成本高、耗時長的問題。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板、依次位于所述襯底基板上的金屬屏蔽層、緩沖層、頂柵型薄膜晶體管和公共電極；其中，所述頂柵型薄膜晶體管的源漏電極位于有源層的上方、且通過貫穿位于所述源漏電極與所述有源層之間的第一絕緣層的第一過孔與所述有源層電性連接，還包括：

與所述源漏電極同層設置的、用于電性連接所述金屬屏蔽層與所述公共電極、且通過貫穿所述第一絕緣層和所述緩沖層的第二過孔與所述金屬屏蔽層電性連接的第一連接部。

本發明實施例提供的上述陣列基板，由于金屬屏蔽層不僅與公共電極電性連接，且用于電性連接金屬屏蔽層與公共電極的第一連接部與源漏電極同層設置，并且是通過貫穿第一絕緣層和緩沖層的過孔與金屬屏蔽電極電性連接。因此本發明實施例提供的上述陣列基板不僅可以在有源層與金屬屏蔽層之間形成存儲電容，從而達到增大陣列基板電容的目，并且在制備時可以通過一次構圖工藝形成同層設置的第一連接部與源漏電極，從而可以減少制作流程，簡化制作工藝，最終可以達到節省制作成本、縮短制作時間的目的。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：位于所述源漏電極與所述公共電極之間的第二絕緣層；

所述公共電極通過貫穿所述第二絕緣層的第三過孔與所述第一連接部電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：

位于所述公共電極上方的像素電極，位于所述像素電極與所述公共電極之間的第三絕緣層，以及與所述公共電極同層設置、且用于電性連接所述像素電極與所述源漏電極中的漏電極的第二連接部；其中，

所述第二連接部通過貫穿所述第二絕緣層的第四過孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接；所述像素電極通過貫穿所述第三絕緣層的第五過孔與所述第二連接部電性連接。

較佳地，為了便于實施，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：