[發明專利]一種陣列基板、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201410232647.7
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN104022126B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 孫建;陳鵬駿;李成;安星俊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括襯底基板、依次位于所述襯底基板上的金屬屏蔽層、緩沖層、頂柵型薄膜晶體管和公共電極；其中，所述頂柵型薄膜晶體管的源漏電極位于有源層的上方、且通過貫穿位于所述源漏電極與所述有源層之間的第一絕緣層的第一過孔與所述有源層電性連接，其特征在于，還包括：

與所述源漏電極同層設置的、用于電性連接所述金屬屏蔽層與所述公共電極、且通過貫穿所述第一絕緣層和所述緩沖層的第二過孔與所述金屬屏蔽層電性連接的第一連接部。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：位于所述源漏電極與所述公共電極之間的第二絕緣層；

所述公共電極通過貫穿所述第二絕緣層的第三過孔與所述第一連接部電性連接。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

位于所述公共電極上方的像素電極，位于所述像素電極與所述公共電極之間的第三絕緣層，以及與所述公共電極同層設置、且用于電性連接所述像素電極與所述源漏電極中的漏電極的第二連接部；其中，

所述第二連接部通過貫穿所述第二絕緣層的第四過孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接；所述像素電極通過貫穿所述第三絕緣層的第五過孔與所述第二連接部電性連接。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

位于所述源漏電極與所述公共電極之間且與所述公共電極相互絕緣的像素電極，以及位于所述像素電極與所述源漏電極之間的第二絕緣層；

所述像素電極通過貫穿所述第二絕緣層的第六過孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接。

5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

位于所述像素電極與所述公共電極之間的第三絕緣層，以及與所述像素電極同層設置、用于電性連接所述公共電極與所述第一連接部的第三連接部；其中，

所述第三連接部通過貫穿所述第二絕緣層的第七過孔與所述第一連接部電性連接；所述公共電極通過貫穿所述第三絕緣層的第八過孔與所述第三連接部電性連接。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，包括在襯底基板上依次形成金屬屏蔽層、緩沖層、頂柵型薄膜晶體管和公共電極的圖形；其中，所述頂柵型薄膜晶體管的源漏電極位于有源層的上方、且通過貫穿位于所述源漏電極與所述有源層之間的第一絕緣層的第一過孔與所述有源層電性連接，其特征在于，還包括：

在形成貫穿所述第一絕緣層的所述第一過孔的同時，采用半色調掩模板或灰色調掩模板形成貫穿所述第一絕緣層和所述緩沖層的第二過孔；

在形成所述源漏電極的圖形的同時，通過一次構圖工藝形成用于電性連接所述金屬屏蔽層與所述公共電極、且通過所述第二過孔與所述金屬屏蔽層電性連接的第一連接部的圖形。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成源漏電極的圖形之后，在形成公共電極的圖形之前，還包括：

在所述源漏電極與將要形成的所述公共電極之間形成第二絕緣層的薄膜；

通過構圖工藝形成貫穿所述第二絕緣層的薄膜的第三過孔，所述公共電極通過所述第三過孔與所述第一連接部電性連接。

9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第三過孔的同時，通過一次構圖工藝形成貫穿所述第二絕緣層的第四過孔；

在形成所述公共電極的圖形的同時，通過一次構圖工藝形成用于電性連接將要形成的像素電極與所述源漏電極中的漏電極的第二連接部的圖形，所述第二連接通過所述第四過孔與所述漏電極電性連接；

在形成所述公共電極的圖形之后，還包括：

在所述公共電極上形成第三絕緣層的薄膜；

通過構圖工藝形成貫穿所述第三絕緣層的薄膜的第五過孔；

在所述第三絕緣層上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述第五過孔與所述第二連接部電性連接。