[發明專利]用于處理載體的方法和載體

有效

• 申請號: 201410232303.6
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN104217983B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發明（設計）人: D.布邁斯特;A.格賴納;T.豪克;D.凱澤;N.莫爾加納;A.西雷;C.韋特齊希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,胡莉莉

1.一種用于處理載體的方法，該方法包括：

在載體上和載體中之中的至少一個形成至少兩個凹進結構，其中，所述至少兩個凹進結構中的每個包括多個凹進，其中，所述至少兩個凹進結構中的第一凹進結構包括比所述至少兩個凹進結構中的第二凹進結構更多的凹進；

對所述至少兩個凹進結構進行退火，使得由所述至少兩個凹進結構的材料形成至少兩個中空室，其中，所述至少兩個中空室包括由第一凹進結構形成的第一中空室以及由第二凹進結構形成的第二中空室，其中，所述第一中空室的尺寸大于所述第二中空室的尺寸，其中，所述至少兩個中空室形成光學對準結構。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述至少兩個凹進結構的材料包括硅。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中，形成所述至少兩個凹進結構包括形成至少三個凹進。

4.根據權利要求1所述方法，

其中，所述多個凹進中的每個凹進具有直立棱柱的形狀。

5.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述多個凹進中的每個凹進具有從由以下各項組成的一組形狀中選擇的形狀：

六邊形直立棱柱；

八邊形直立棱柱；以及

圓柱。

6.根據權利要求5所述的方法，

其中，每個凹進被形成為具有在從600nm至900nm的范圍內的寬度。

7.根據權利要求5所述的方法，

其中，每個凹進被形成為具有在從0.5 μm至10 μm的范圍內的深度。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述多個凹進中的兩個相鄰凹進之間的間距在從0.8μm至1.5μm的范圍內。

9.根據權利要求1所述的方法，

其中，在退火過程期間形成的所述至少兩個中空室具有在從0.1μm至2μm的范圍內的高度。

10.根據權利要求1所述的方法，

其中，在退火過程期間形成的所述至少兩個中空室具有在從0.5 μm至10 μm的范圍內的寬度。

11.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述至少兩個中空室是在至少900℃的溫度下通過退火過程而形成的。

12.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述光學對準結構被形成為由使用具有在從1000nm至1200nm的范圍內的波長的光的紅外對準工具可檢測。

13.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述至少兩個中空室在晶片的切口區域中被形成。

14.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述載體是硅晶片，并且所述至少兩個中空室是通過從所述至少兩個凹進結構開始的硅遷移而在退火過程期間形成的。

15.根據權利要求1所述的方法，

其中，形成至少兩個凹進結構并對所述至少兩個凹進結構進行退火包括形成多個凹進結構并對所述多個凹進結構進行退火，使得由所述多個凹進結構的相應材料形成多個中空室，其中，所述多個中空室形成光學對準結構。

16.根據權利要求15所述的方法，

其中，所述多個中空室中的每個中空室分別由包括至少三個凹進的凹進結構所形成。

17.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在光學對準結構上沉積至少一個外延層。

18.根據權利要求17所述的方法，

其中，所述至少一個外延層具有至少5 μm的層厚度。

19.一種載體，包括：

至少一個光學對準結構，其由布置在所述載體中的至少兩個中空室所形成，其中，所述至少兩個中空室包括由第一凹進結構形成的第一中空室以及由第二凹進結構形成的第二中空室，其中，所述第一中空室的尺寸大于所述第二中空室的尺寸。

20.根據權利要求19所述的載體，

其中，所述光學對準結構被配置成由紅外光可檢測。

21.根據權利要求19所述的載體，

其中，所述載體是硅晶片，并且所述至少兩個中空室被布置在所述硅晶片中。

22.根據權利要求19所述的載體，

其中，用具有在從0.5μm至50μm的范圍內的厚度的硅層來覆蓋所述至少兩個中空室。