[發(fā)明專利]用于處理載體的方法和載體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410232303.6
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN104217983B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設計）人: D.布邁斯特;A.格賴納;T.豪克;D.凱澤;N.莫爾加納;A.西雷;C.韋特齊希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技德累斯頓有限責任公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬麗娜,胡莉莉

技術領域

各種實施例一般地涉及用于處理載體的方法、載體以及用于在載體中形成用于平版印刷過程的光學對準結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術

制造芯片或集成電路一般可以包括各種分層和圖案化過程，例如以便處理功率芯片，并且因此在處理期間多個對準是必要的。根據(jù)這一點，在各過程期間、例如在分層、圖案化或離子注入期間，被用于載體定位的對準標記可能在所述多個過程期間退化；并且因此可能是以較低的質(zhì)量而可見的，并且可能是以較低的準確度可檢測的，使得在制造芯片期間可能需要將對準標記刷新幾次。在各種過程中，可利用附加材料覆蓋對準標記，并且因此對準標記可能不適合于使能準確的對準。常用的對準標記可能在高處理溫度下并不是穩(wěn)定的，例如大于1000℃。

發(fā)明內(nèi)容

一種用于處理載體的方法可包括以在載體上和載體中之中的至少一個形成至少一個凹進結(jié)構(gòu)，并對所述至少一個凹進結(jié)構(gòu)進行退火，使得由所述至少一個凹進結(jié)構(gòu)的材料形成至少一個中空室，其中，所述至少一個中空室形成光學對準結(jié)構(gòu)。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標記一般遍及不同的視圖指代相同的部分。附圖不一定按比例，而是一般著重于圖示本發(fā)明的原理。在以下描述中，參考以下各圖來描述發(fā)明的各種實施例，在所述附圖中：

圖1示出了根據(jù)各種實施例的用于處理載體的方法的流程圖；

圖2A至圖2E分別地示出了根據(jù)各種實施例的在處理期間的不同處理階段的載體的截面圖；

圖3示出了根據(jù)各種實施例的提供凹進結(jié)構(gòu)的凹進布置的頂視圖；

圖4A示出了根據(jù)各種實施例的光學對準結(jié)構(gòu)或凹進結(jié)構(gòu)的頂視圖或示意圖；

圖4B示出了根據(jù)各種實施例的詳細的凹進結(jié)構(gòu)的頂視圖或示意圖；

圖5示出了根據(jù)各種實施例的包括多個凹進的載體的截面的掃描電子顯微圖像及相應地示出其頂視圖；

圖6示出了根據(jù)各種實施例的已執(zhí)行退火過程之后的包括中空室的載體的截面的掃描電子顯微圖像；

圖7示出了根據(jù)各種實施例的包括正在中空室上沉積的附加層的載體的截面的掃描電子顯微圖像；以及

圖8圖示出根據(jù)各種實施例的深溝槽覆蓋標記和掩埋式覆蓋標記之間的比較。

具體實施方式

以下詳細描述涉及以圖示的方式示出具體細節(jié)和其中可實踐本發(fā)明的實施例的附圖。

詞語“示例性”在本文中用來意指“充當示例、實例或圖示”。不一定要將在本文中被描述為“示例性”的任何實施例或設計理解為相對于其他實施例或設計是優(yōu)選的或有利的。

相對于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”在本文中可以用來意指可以直接在暗指的側(cè)面或表面上形成沉積材料，例如與之直接接觸。相對于在側(cè)面或表面“之上”形成的沉積材料所使用的詞語“之上”可以在本文中用來意指可以間接地在暗指的側(cè)面或表面上形成沉積材料，其中在暗指的側(cè)面或表面與沉積材料之間布置有一個或多個附加層。

平版印刷過程期間的載體的正確對準可能是半導體器件、芯片或集成電路的制造中的重要方面。光學對準系統(tǒng)可使用例如光學顯微鏡來檢測載體上的對準結(jié)構(gòu)。可存在用于在載體上產(chǎn)生對準結(jié)構(gòu)（或?qū)式Y(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞洠┣矣糜跈z測載體上的對準結(jié)構(gòu)的各種可能性。但是在載體經(jīng)歷制造的各種步驟的同時，這些常用的對準方法可能遭受問題的影響，即，可能以較低的準確度在光學系統(tǒng)中檢測載體上的對準結(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞洝?/p>

例如，可在例如多個硅層的載體上沉積多個材料層，并且因此可在增加厚度的材料覆蓋對準結(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞浀那闆r下，對準結(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞浽诠鈱W對準系統(tǒng)中是以較低準確度可檢測的。進一步，例如，在制造過程期間用材料層來覆蓋對準結(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞洠搶式Y(jié)構(gòu)元件或?qū)蕵擞浀男螤睢⒊叽缫约翱v橫比中的至少一個可以改變，并且因此，對準也許不可能具有必要的對準準確度，例如提供在納米范圍內(nèi)的覆蓋誤差。進一步，常用的對準標記可以在熱處理期間改變其尺寸、形狀和位置中的至少一個，使得常用的對準結(jié)構(gòu)可能并非遍及整個制造過程都是可靠的。