[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

在審

• 申請號: 201410228115.6
• 申請日: 2014-05-27
• 公開（公告）號: CN105206665A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 方磊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;趙禮杰

1.一種半導體器件，其特征在于，包括半導體襯底、位于所述半導體襯底內的P阱與N阱、位于所述N阱內的源極與位于所述P阱內的漏極、以及位于所述P阱內的淺溝槽隔離，還包括位于所述半導體襯底上且延伸入所述半導體襯底的柵極結構，其中所述柵極結構延伸入所述半導體襯底的部分與所述淺溝槽隔離所在的位置相對應。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構延伸入所述半導體襯底的部分位于所述淺溝槽隔離的上方。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構延伸入所述半導體襯底的部分的厚度與所述淺溝槽隔離的高度相同或者為所述淺溝槽隔離的高度的二分之一。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構延伸入所述半導體襯底的部分位于所述淺溝槽隔離的內部。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于所述柵極結構兩側的柵極側壁。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于所述N阱內的體電極。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：提供半導體襯底，在所述半導體襯底內形成位于擬形成的P阱內的淺溝槽隔離；

步驟S102：通過離子注入在所述半導體襯底內形成P阱與N阱，其中所述P阱包圍所述淺溝槽隔離；

步驟S103：在所述淺溝槽隔離所在位置處形成凹槽；

步驟S104：形成位于所述半導體襯底上且延伸入所述凹槽的柵極結構；

步驟S105：通過離子注入形成位于所述N阱內的源極以及位于所述P阱內的漏極。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中，形成所述凹槽的方法包括：

通過刻蝕將所述淺溝槽隔離去除一定的厚度，以在所述淺溝槽隔離的上方形成所述凹槽。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中，所述淺溝槽隔離被去除的厚度為所述淺溝槽隔離的高度的二分之一或三分之一。

10.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中，形成所述凹槽的方法包括：

對所述淺溝槽隔離進行刻蝕，以形成位于所述淺溝槽隔離內的所述凹槽。

11.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104與所述步驟S105之間還包括步驟S1045：

形成位于所述柵極結構兩側的柵極側壁。

12.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105中還包括通過離子注入形成位于所述N阱內的體電極的步驟。

13.一種電子裝置，其特征在于，包括半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件，其中所述半導體器件包括半導體襯底、位于所述半導體襯底內的P阱與N阱、位于所述N阱內的源極與位于所述P阱內的漏極、以及位于所述P阱內的淺溝槽隔離，還包括位于所述半導體襯底上且延伸入所述半導體襯底的柵極結構，其中所述柵極結構延伸入所述半導體襯底的部分與所述淺溝槽隔離所在的位置相對應。