[發明專利]一種NAND閃存器件以及制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201410228071.7
• 申請日: 2014-05-27
• 公開（公告）號: CN105226024A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 黃芳;李冠華;楊海玩;陳亮;周朝鋒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種NAND閃存器件的制備方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有覆蓋低壓器件區域的圖案化的掩膜層，以露出所述半導體襯底的高壓器件區域；

以所述掩膜層為掩膜，蝕刻高壓器件區域的半導體襯底至預定高度；

在高壓器件區域的半導體襯底上沉積高壓氧化物層；

去除所述掩膜層，以露出所述半導體襯底的低壓器件區域；

在所述半導體襯底的低壓器件區域上沉積低壓氧化物層，以與所述高壓氧化物層具有相同的高度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為依次沉積的襯墊氧化物層和氮化物層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化物層的材料選用SiN。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在沉積所述低壓氧化物層之前還進一步包括執行預清洗的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述高壓器件區域的半導體襯底，以去除100-200埃的厚度。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沉積高壓氧化物層至所述掩膜層頂部以下和底部以上。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括在所述高壓氧化物層和所述低壓氧化物層上形成浮柵結構的步驟。

8.一種基于權利要求1至7之一所述方法制備得到的NAND閃存器件。

9.一種電子裝置，包括權利要求8所述的NAND閃存器件。