[發明專利]一種無輔助結構的無芯基板的制造方法

有效

• 申請號: 201410227935.3
• 申請日: 2014-05-27
• 公開（公告）號: CN103987198B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 孫瑜;何曉鋒
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/42;H05K3/46
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，該方法包括：

步驟10：在半固化片的雙面覆蓋銅箔，進行層壓壓合形成具有雙面銅箔的基板，并對基板上表面的邊緣進行保護，將上表面除邊緣以外的銅減薄，下表面全部減薄；

步驟20：從基板的上表面向下進行激光鉆孔，并在基板上進行雙面沉銅、電鍍，在基板雙面形成銅層；

步驟30：對基板的正面進行蝕刻形成金屬線路圖形，然后對基板正面進行半固化片預壓合，在基板正面形成平整的介質層；

步驟40：對基板的背面進行蝕刻形成金屬線路圖形，然后在基板背面貼上半固化片，進入高溫壓機壓合，使基板雙面形成介質層，并完全固化；

步驟50：采用激光鉆孔機對基板兩面的介質層打盲孔，并對基板兩面進行化學鍍銅、電鍍銅、圖形化及蝕刻工藝，在基板兩面形成第二層線路；

步驟60：對完成的基板進行表面處理，得到無輔助結構的無芯基板。

2.根據權利要求1所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，步驟10中所述半固化片采用BT樹脂、環氧樹脂、ABF、聚四氟乙烯或碳氫化合物陶瓷；

步驟10中所述半固化片的厚度為25μm至50μm，銅箔的厚度為35μm；

步驟10中所述對基板上表面的邊緣進行保護，將上表面除邊緣以外的銅減薄，下表面全部減薄，上下表面的厚度均被減薄至1-5μm，使上表面形成一個帶有銅框架銅層。

3.根據權利要求1所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，步驟20中所述從基板的上表面向下進行激光鉆孔，得到的孔是通孔或盲孔。

4.根據權利要求3所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，所述盲孔穿過基板中心的半固化片，至背面銅箔，但不穿透背面銅箔。

5.根據權利要求1所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，步驟30中所述對基板的正面進行蝕刻形成金屬線路圖形，包括：

在基板雙面壓合干膜，并對正面的干膜進行光刻，光刻顯影后在基板正面形成干膜圖形，基板背面沒有圖形，干膜將基板背面整面銅皮保護住；

對基板的正面進行蝕刻，去除干膜后形成金屬線路圖形。

6.根據權利要求1所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，步驟40中所述對基板的背面進行蝕刻形成金屬線路圖形，包括：

在基板雙面貼干膜，并在基板下表面進行圖形化，形成干膜圖形；

對基板的背面進行蝕刻、去膜，形成電路圖形。

7.根據權利要求1所述的無輔助結構的無芯基板的制造方法，其特征在于，如果需要在基板兩面制作多層線路，則該方法在步驟50與步驟60之間還包括：

在基板雙面貼半固化片高溫壓合形成介質層，采用激光鉆孔機對基板兩面的介質層打盲孔，對基板雙面進行化學鍍銅、電鍍銅、圖形化和蝕刻工藝形成第三層線路；

在基板雙面貼半固化片高溫壓合形成介質層，采用激光鉆孔機對基板兩面的介質層打盲孔，對基板雙面進行化學鍍銅、電鍍銅、圖形化和蝕刻工藝形成第四層線路；

依次類推，在基板雙面貼半固化片形成介質層，采用激光鉆孔機對基板兩面的介質層打盲孔，對基板雙面進行化學鍍銅、電鍍銅、圖形化和蝕刻工藝形成第n層線路，n為大于4的自然數。