[發明專利]光刻曝光裝置有效

申請號：	201410225848.4	申請日：	2014-05-26
公開（公告）號：	CN105242495B	公開（公告）日：	2017-08-25
發明（設計）人：	王婷婷;楊曉青;王帆	申請（專利權）人：	上海微電子裝備（集團）股份有限公司
主分類號：	G03F7/20	分類號：	G03F7/20
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237	代理人：	屈蘅,李時云
地址：	201203 上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	光刻曝光裝置
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及一種光刻曝光裝置。

背景技術

投影曝光裝置是將掩模上的電路圖形，經過投影曝光透鏡等光學系統做投影曝光，將電路圖形以一定放大或縮小的倍率投影于制造集成電路的硅片上的一種裝置。已知用于集成電路的制造，近年來該投影曝光裝置也適用于印刷電路板的制造。

集成電路的發展遵循“摩爾定律”，隨著IC制造技術的飛速發展，IC集成度逐漸提高，并且為降低單元制造成本，要求光刻用硅片的直徑也在不斷增大。目前，300mm直徑的硅片正在逐步普及，未來450mm直徑的硅片也將被廣泛采用。為保證硅片加工的時效性，硅片尺寸的增大勢必會要求光刻機研發者和考慮者考慮大視場曝光系統和大尺寸掩模。然而，掩模屬于消耗品，鉻層脫落、靜電、擦痕、存儲環境不佳等都會導致其損傷。并且制作掩模的玻璃材料昂貴、制作工藝復雜，導致其成本很高；隨著掩模尺寸增大，其制造難度也有較大程度提高；同時，目前光刻產業面臨產品個性化、小批量和更新周期變短的趨勢。綜上所述，掩模版費用占光刻機運行總成本的比例正不斷飛升。

傳統的曝光裝置使用一套投影曝光系統將一張掩模上的圖像以掃描的方式投影曝光到一片基質材料(如硅片)的一個視場。如圖1所示，一片基質材料100可分為若干個視場，傳統的曝光裝置從視場F01依次掃描至視場F02、F03、F04、F05...當基質材料100(如硅片)的尺寸增大時，一張基質材料100上所包含的視場數量增加，曝光一片基質材料100的用時增加。也有使用雙曝光裝置的，該雙曝光裝置包含至少2套照明系統、2套投影系統，2套掩模及掩模臺，2套硅片及工件臺，兩套對準調焦系統，提高了曝光時效性，但結構復雜、體積龐大且運行成本高，掩模利用率也并沒有得到改善。

發明內容

本發明提供一種光刻曝光裝置，以實現同時曝光多個視場，提高光刻的時效性。

為解決上述技術問題，本發明提供一種光刻曝光裝置，沿光傳播方向依序包括：照明單元，用于為光刻曝光裝置提供照明光；圖案化裝置，為所述光刻曝光裝置提供光刻圖形；分光裝置，用于將透過所述圖案化裝置入射的照明光分為多束光；投影物鏡，用于將所述多束光投射到多個曝光視場。

作為優選，通過改變所述圖案化裝置與分光裝置入射表面之間的水平相對位置，調節多個曝光視場間的間距。

作為優選，所述分光裝置采用分光轉折棱鏡。

作為優選，所述分光裝置設有一組或多組。

作為優選，所述投影物鏡設置有一組或多組。

作為優選，所述多個曝光視場位于至少一個曝光基底上。

作為優選，所述分光裝置設置于掩模與投影物鏡之間

作為優選，所述分光裝置設置于投影物鏡與曝光基底之間。

作為優選，所述照明單元采用汞燈、LED或激光器。

作為優選，通過改變掩模/投影物鏡與分光裝置入射表面之間的水平相對位置，調節分光裝置多個視場間的間距。