[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410225652.5
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN104035253A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李文波;張彌
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

陣列基板是液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板等的重要部件。陣列基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)，其中設(shè)有柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極(或有機(jī)發(fā)光二極管)等顯示結(jié)構(gòu)。為了進(jìn)行顯示，顯示區(qū)中的引線(柵極線、數(shù)據(jù)線等)必須與驅(qū)動芯片(Driver?IC)電連接。驅(qū)動芯片的連接方式是多樣的，比如帶載封裝模式(TCP，Tape?Carrier?Package)，即將驅(qū)動芯片制成封裝帶，并將封裝帶設(shè)于陣列基板外側(cè)；再如板上封裝模式(COB，Chip?On?Board)，即將驅(qū)動芯片設(shè)在線路板(PCB)上，并將線路板連接于陣列基板外側(cè)；再如覆晶薄膜模式(COF，Chip?On?Film)，即將驅(qū)動芯片設(shè)在柔性線路板(PFC)上，并將柔性線路板連接于陣列基板外側(cè)；再如覆晶基板模式(COG，Chip?On?Glass)，即直接將驅(qū)動芯片設(shè)在陣列基板上。

為避免影響顯示，故驅(qū)動芯片、線路板等不能直接連接顯示區(qū)內(nèi)的引線。因此，如圖1、圖2所示，陣列基板1基底11的顯示區(qū)92外側(cè)還包括邊緣區(qū)91，引線2由顯示區(qū)92延伸至邊緣區(qū)91中并連接驅(qū)動芯片82(或線路板等)。通常而言，從顯示區(qū)92進(jìn)入邊緣區(qū)91后，引線2先要進(jìn)行扇出(Fanout)，即多條引線2逐漸集中至間距與驅(qū)動芯片82端口的間距匹配，扇出后的引線2端部則設(shè)有用于連接驅(qū)動芯片82、線路板等的引線接頭3(Pad)。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)具有以下問題：

首先，引線2要在邊緣區(qū)91中完成扇出，邊緣區(qū)91中還要設(shè)置引線接頭3等結(jié)構(gòu)，故邊緣區(qū)91必須具有較大的寬度，而邊緣區(qū)91又要被邊框封住，這導(dǎo)致顯示面板的邊框尺寸過大，不利于窄邊框。

而且，如圖2所示，引線接頭3上方需要留出一定的空間以連接驅(qū)動芯片82、線路板等，故與陣列基板1對盒的對盒基板81(如彩膜基板或封裝基板)不能覆蓋引線接頭3所在的區(qū)域，因此對盒基板81必然小于陣列基板1，二者尺寸不同，這導(dǎo)致兩基板的切割必須分別進(jìn)行，工藝復(fù)雜。

另外，當(dāng)要將多個顯示面板拼接使用(即用多個顯示面板組成一個大屏幕)時，由于兩基板的邊緣不齊，故必須在其外側(cè)加裝邊框后才能進(jìn)行拼接，導(dǎo)致其結(jié)構(gòu)復(fù)雜且相鄰顯示面板間的間隙過大，拼接效果不好。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板邊緣區(qū)過大導(dǎo)致邊框過寬的問題，提供一種易于實(shí)現(xiàn)窄邊框的陣列基板及其制備方法、顯示面板。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括基底，所述基底包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)和顯示區(qū)外的邊緣區(qū)，在所述基底的第一面上設(shè)有多條從顯示區(qū)延伸至邊緣區(qū)的引線，且

所述基底的邊緣區(qū)中設(shè)有多個與分別與各引線電連接的、內(nèi)部設(shè)有導(dǎo)電材料的導(dǎo)電通孔，各引線分別通過各導(dǎo)電通孔電連接至所述基底的第二面；

所述基底的第二面設(shè)有與所述導(dǎo)電通孔電連接的背面結(jié)構(gòu)，所述背面結(jié)構(gòu)包括多個分別與各導(dǎo)電通孔電連接的引線接頭。

優(yōu)選的是，所述導(dǎo)電通孔的直徑在5～100微米之間；相鄰導(dǎo)電通孔的中心間的距離在10～80微米之間。

優(yōu)選的是，所述導(dǎo)電材料為銅、銀、鉻中的任意一種金屬或任意多種金屬的合金。

優(yōu)選的是，所述背面結(jié)構(gòu)還包括多條分別連接在各導(dǎo)電通孔和引線接頭間的背面引線。

優(yōu)選的是，所述背面結(jié)構(gòu)還包括與所述引線接頭連接的驅(qū)動芯片。

優(yōu)選的是，所述陣列基板為液晶顯示陣列基板或底發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示陣列基板；所述背面結(jié)構(gòu)均位于所述邊緣區(qū)中。

優(yōu)選的是，所述陣列基板為頂發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管顯示陣列基板；所述背面結(jié)構(gòu)至少部分位于所述顯示區(qū)中。

優(yōu)選的是，所述引線包括柵極線和/或數(shù)據(jù)線。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板制備方法，其制備的是上述的陣列基板，所述制備方法包括：

S11、在基底的邊緣區(qū)中形成通孔；

S12、在通孔內(nèi)形成導(dǎo)電材料，使所述通孔形成導(dǎo)電通孔。

優(yōu)選的是，所述步驟S11包括：通過激光打孔工藝在所述基底的邊緣區(qū)中形成通孔。