[發(fā)明專(zhuān)利]一種8位單片機(jī)讀寫(xiě)16位存儲(chǔ)單元RAM的實(shí)現(xiàn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410225644.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104021086A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陶濤;劉毅;梅雪松;張東升;孫挪剛;姜歌東 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06F12/02 | 分類(lèi)號(hào): | G06F12/02;G06F3/06 |
| 代理公司: | 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 陸萬(wàn)壽 |
| 地址: | 710049*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單片機(jī) 讀寫(xiě) 16 存儲(chǔ) 單元 ram 實(shí)現(xiàn) 方法 | ||
1.一種8位單片機(jī)讀寫(xiě)16位存儲(chǔ)單元RAM的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)將16位存儲(chǔ)單元RAM中每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址通過(guò)vUB分成高8位和低8位,得高低位判斷標(biāo)志;
2)通過(guò)CPLD/FPGA地址緩存器將單片機(jī)與16位存儲(chǔ)單元RAM相連接;
3)8位單片機(jī)將初始目標(biāo)地址及高地位判斷標(biāo)志分三次寫(xiě)入到CPLD/FPGA地址緩存器中,其中,第一次,8位單片機(jī)通過(guò)0x8010操作端口將初始目標(biāo)地址的低8位寫(xiě)入到CPLD/FPGA地址緩存器的ADDR_BUF[7..0]中;第二次,8位單片機(jī)通過(guò)0x8011操作端口將初始目標(biāo)地址的高8位寫(xiě)入到CPLD/FPGA地址緩存器的ADDR_BUF[15..8]中;第三次,8位單片機(jī)將高低位判斷標(biāo)志通過(guò)0x8014操作端口寫(xiě)入CPLD/FPGA地址緩存器的vUB_BUF中;
4)將CPLD/FPGA地址緩存器中ADDR_BUF內(nèi)的初始目標(biāo)地址通過(guò)0x8012操作端口寫(xiě)入到RAM地址寄存器的MCUwrAddr及MCUrdAddr中,同時(shí)將CPLD/FPGA地址緩存器中vUB_BUF內(nèi)的高低位判斷標(biāo)志通過(guò)0x8015操作端口寫(xiě)入到vUB中;
5)8位單片機(jī)通過(guò)0x8009操作端口將8位單片機(jī)內(nèi)的8位數(shù)據(jù)寫(xiě)入到選通的RAM單元中,寫(xiě)入完成后,寫(xiě)地址寄存器MCUwrAddr加1;
6)重復(fù)步驟5),連續(xù)寫(xiě)入所有數(shù)據(jù);
7)8位單片機(jī)通過(guò)0x8008操作端口從選通的RAM單元中讀取8位單片機(jī)內(nèi)的8位數(shù)據(jù),讀取完成后,讀地址寄存器MCUrdAddr加1;
8)重復(fù)步驟7),連續(xù)讀取所有數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的8位單片機(jī)讀寫(xiě)16位存儲(chǔ)單元RAM的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于,所述高低位判斷標(biāo)志為當(dāng)vUB=0時(shí),選中高8位,當(dāng)vUB=1時(shí),選中低8位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的8位單片機(jī)讀寫(xiě)16位存儲(chǔ)單元RAM的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于,步驟4)所述將CPLD/FPGA地址緩存器中ADDR_BUF內(nèi)的初始目標(biāo)地址通過(guò)0x8012操作端口寫(xiě)入到RAM地址寄存器的MCUwrAddr及MCUrdAddr中的具體操作過(guò)程為:當(dāng)0x8012端口寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第0位為1,即bit0=1時(shí),將CPLD/FPGA地址緩存器中ADDR_BUF內(nèi)的初始目標(biāo)地址寫(xiě)入到RAM地址寄存器的MCUrdAddr中,當(dāng)0x8012端口寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第1位為1,即bit1=1時(shí),CPLD/FPGA地址緩存器中ADDR_BUF內(nèi)的初始目標(biāo)地址寫(xiě)入到RAM地址寄存器的MCUwrAddr中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的8位單片機(jī)讀寫(xiě)16位存儲(chǔ)單元RAM的實(shí)現(xiàn)方法,其特征在于,步驟4)所述將CPLD/FPGA地址緩存器中vUB_BUF內(nèi)的高低位判斷標(biāo)志通過(guò)0x8015操作端口寫(xiě)入到vUB中的具體操作為:當(dāng)0x8015端口寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第0位為1,即bit0=1時(shí),將CPLD/FPGA地址緩存器中vUB_BUF內(nèi)的高低位判斷標(biāo)志寫(xiě)入vUB的MCUrd_vUB中,當(dāng)0x8015端口寫(xiě)入數(shù)據(jù)的第1位為1,即bit1=1時(shí),將CPLD/FPGA地址緩存器中vUB_BUF內(nèi)的高低位判斷標(biāo)志寫(xiě)入到vUB的MCUwr_vUB中。
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