[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201410225542.9
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN103985708A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 李厚燁
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/50;H01L21/82
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，且特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。

背景技術

圖1A至圖1E是現有的一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管陣列基板的制作流程局部剖面結構示意圖。請參閱圖1A至圖1E，首先，如圖1A所示，在基底11上形成柵極12，在基底11上形成柵極絕緣層13并覆蓋柵極12，在柵極絕緣層13上形成半導體層14并位于柵極12的正上方。在半導體層14上形成彼此間隔的源極16a和漏極16b，源極16a和漏極16b與半導體層14之間分別設有源極接觸層15a和漏極接觸層15b，部分半導體層14從源極接觸層15a和漏極接觸層15b之間和源極16a和漏極16b之間露出。第一絕緣保護層17形成于基板11上并覆蓋源極16a、漏極16b、從源極16a和漏極16b之間露出的部分半導體層14以及柵極絕緣層13。其次，如圖1B所示，在第一絕緣保護層17上形成平坦層18，并在平坦層18對應漏極16b位置處形成平坦層通孔18a以使部分第一絕緣保護層17露出。接著，如圖1C所示，在平坦層18上形成第一電極19，并在平坦層18上形成第二絕緣保護層20覆蓋第一電極19，此時第二絕緣保護層20順應性的填入平坦層通孔18a內與第一絕緣保護層17接觸并形成凹孔20a。之后，如圖1D所示，移去平坦層通孔18a內的第二絕緣保護層20和與第二絕緣保護層20接觸的第一絕緣保護層17，形成貫通第一絕緣保護層17、平坦層18和第二絕緣保護層20的通孔22以露出漏極16b。再來，如圖1E所示，在第二絕緣保護層20上形成第二電極21，并填入通孔22與漏極16b電性連接。

在上述制程中，平坦層18的設置一方面是使得薄膜晶體管陣列基板的表面更加平坦化，從而在更加平坦化的表面進行摩擦配向制程，以使液晶初始排列更整齊；另一方面是為了減小連接薄膜晶體管結構的數據線與第一電極19之間的電容，降低數據線的負載。而且，平坦層18的厚度越大，電容就越小，從而負載也就越低。但是，在實際的制程中，平坦層18的厚度較厚會影響后續的通孔22的開孔制程。在上述制程中，在依次形成第一絕緣保護層17和平坦層18后，是先在平坦層18進行第一次開孔制程形成平坦層通孔18a，然后再形成第二絕緣保護層20填入平坦層通孔18a與第一絕緣保護層17接觸，之后再進行第二次開孔制程，移除對應平坦層通孔18a的第二絕緣保護層20以及第一絕緣保護層17，從而形成通孔22。在第二次開孔制程中，如圖1C所示，在第二絕緣保護層20上涂布光阻層時，光阻劑會流入在凹孔20a中，平坦層18越厚凹孔20a深度越深，在光阻劑固化后，對應平坦層通孔18a處的凹孔20a中的光阻層會比其它地方更厚，不容易被完全曝光顯影移除掉，從而在形成如圖1E所示通孔22的制程中，容易形成盲孔，使漏極16b不能露出來，從而無法實現第二電極21與漏極16b的電連接，進而影響對液晶面板中的像素單元的控制，形成點缺陷。

發明內容

本發明的目的在于，提供了一種薄膜晶體管陣列基板，其漏極與第二電極具有良好的電連接，減少了點缺陷，有利于提升顯示品質。

本發明的另一目的在于，提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其能有效避免導通孔的開孔制程中盲孔的出現，使得薄膜晶體管陣列基板的漏極與第二電極具有良好的電連接，減少了點缺陷，有利于提升顯示品質。

本發明解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。

一種薄膜晶體管陣列基板，包括基底、薄膜晶體管單元、支撐部、絕緣平坦層、第一電極、絕緣保護層和第二電極。薄膜晶體管單元位于基底上，并包括有柵極，柵極絕緣層，半導體層，源漏極接觸層以及源極和漏極，該漏極包括電極主體部、電極延伸部以及通過該電極延伸部電連接于該電極主體部的電極連接部。支撐部位于該柵極絕緣層上并位于該薄膜晶體管單元的靠近該漏極和該漏極接觸層的一側，該電極連接部覆蓋該支撐部的遠離該基底的上表面。絕緣平坦層位于該基底上，覆蓋該薄膜晶體管單元及該支撐部并具有平坦層通孔和第二通孔，該電極連接部從該絕緣平坦層的該第二通孔露出；第一電極位于該絕緣平坦層上；絕緣保護層覆蓋該絕緣平坦層以及該第一電極，該絕緣保護層設有與該第二通孔連通的第一通孔；第二電極位于該絕緣保護層上，并填入該第一通孔和該第二通孔中與該電極連接部電性連接。

在本發明較佳實施例中，上述支撐部具有相對的第一側面和第二側面，上表面連接于第一側面和第二側面之間。第一側面面向薄膜晶體管單元，漏極的電極延伸部覆蓋第一側面。