[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201410225542.9
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN103985708A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 李厚燁
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/50;H01L21/82
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，其包括：

基底；

薄膜晶體管單元，位于該基底上，該薄膜晶體管單元包括有柵極，柵極絕緣層，半導體層，源漏極接觸層以及源極和漏極，該漏極包括電極主體部、電極延伸部以及通過該電極延伸部電連接于該電極主體部的電極連接部；

支撐部，位于該柵極絕緣層上并位于該薄膜晶體管單元的靠近該漏極和該漏極接觸層的一側，該電極連接部覆蓋該支撐部的遠離該基底的上表面；

絕緣平坦層，位于該基底上，覆蓋該薄膜晶體管單元及該支撐部并具有平坦層通孔和第二通孔，該電極連接部從該絕緣平坦層的該第二通孔露出；

第一電極，位于該絕緣平坦層上；

絕緣保護層，覆蓋該絕緣平坦層以及該第一電極，該絕緣保護層設有與該第二通孔連通的第一通孔；以及

第二電極，位于該絕緣保護層上，并填入該第一通孔和該第二通孔中與該電極連接部電性連接。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該支撐部具有相對的第一側面和第二側面，該上表面連接于該第一側面和該第二側面之間，該第一側面面向該薄膜晶體管單元，該漏極的該電極延伸部覆蓋該第一側面。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該絕緣平坦層包括絕緣層以及平坦層，該絕緣平坦層位于該基底上，覆蓋該薄膜晶體管單元以及該支撐部，該第二通孔貫通該絕緣平坦層的該絕緣層和該平坦層。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該絕緣平坦層還可僅包括平坦層，該平坦層通孔即為該第二通孔。

5.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該支撐部的材料與該平坦層的材料相同。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該絕緣平坦層具有遠離該基底的平坦面，該支撐部的該上表面低于該平坦面。

7.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，其包括：

首先在基底上形成預薄膜晶體管單元，形成的該預薄膜晶體管單元包括柵極，柵極絕緣層，半導體層，源漏極接觸層；

然后在該預薄膜晶體管單元的靠近漏極接觸層的一側形成支撐部；

接下來在形成支撐部之后形成源漏極，該源漏極彼此分隔，將部分半導體層從源漏極中間露出，該漏極具有電極主體部、電極延伸部和通過該電極延伸部電連接于該電極主體部的電極連接部；

在源漏極之后形成絕緣平坦層，該絕緣平坦層覆蓋源極，漏極，從源漏極中間露出的半導體層，支撐部以及柵極絕緣層；

在該絕緣平坦層上形成第一電極；

在形成第一電極之后形成絕緣保護層，該絕緣保護層覆蓋該絕緣平坦層以及該第一電極；

最后在該絕緣保護層上形成第二電極。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該絕緣平坦層的制作方法包括：在該基底上形成絕緣層，再在該絕緣層上形成該平坦層；

該絕緣平坦層的制作方法還包括在該平坦層進行第一次開孔制程，移除該電極連接部上方的該平坦層形成平坦層通孔以露出該絕緣層，然后在該平坦層通孔對應位置處移除該絕緣保護層以形成第一通孔，并進一步移除該對應位置處的絕緣平坦層中的絕緣層以形成與該第一通孔連通的第二通孔，以使該電極連接部從該第一通孔和該第二通孔露出，以使該第二電極填入該第一通孔和第二通孔中與該漏極的該電極連接部電性連接。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該絕緣保護層的制作方法中包括：在該基底上僅形成平坦層，并對該平坦層進行第一次開孔制程，形成平坦層通孔以露出該電極連接部，然后在該平坦層通孔對應位置處移除該絕緣保護層以形成第一通孔，使該電極連接部從該第一通孔和平坦層通孔中露出，以使該第二電極，填入該第一通孔與平坦層通孔中與該漏極的該電極連接部電性連接。

10.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，形成該絕緣平坦層具有遠離該基底的平坦面，該支撐部的該上表面低于該平坦面。