[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201410224631.1 | 申請日: | 2014-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN104020621B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 曹占鋒;丁錄科;張文林;孔祥春;張鋒;姚琪;章志興 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1368 | 分類號: | G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
由于使用工作電壓低、功耗小、顯示方式靈活、輻射低等優點,液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,LCD)廣泛應用于各種領域,如計算機、手機、電視及測量顯示等領域。LCD包括液晶顯示面板,液晶顯示面板包括設置有薄膜晶體管的陣列基板、與陣列基板對盒的彩膜基板以及夾設在兩基板之間的液晶層,LCD工作過程中,由陣列基板上的像素電極和彩膜基板上的公共電極之間產生電壓差來驅動液晶層中的液晶分子,液晶層中各處的液晶分子的偏轉角度不一致,使得LCD可以進行顯示。
發明人發現,由于在形成陣列基板的各層結構的過程中,首先利用銅等金屬形成源極和漏極等結構,之后形成一透明導電薄膜,并對該透明導電薄膜進行構圖工藝形成像素電極,在對透明導電薄膜進行構圖工藝的過程中,銅等金屬制成的源極和漏極等結構暴露在外,金屬表面容易發生氧化,并且金屬表面的氧化層的厚度會隨著時間的推移繼續增加,當氧化層的厚度較大時,影響了源極和漏極的導電能力,陣列基板有可能無法正常工作,影響了產品的良率,并且降低了用戶的使用體驗。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,能夠防止銅等金屬在對透明導電薄膜進行構圖工藝的過程中發生氧化,保證源極和漏極的導電能力。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
本發明第一方面提供了一種陣列基板,包括多個陣列排布的像素單元區域,所述像素單元區域包括薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管的有源層和所述像素電極之間形成有第一絕緣層,所述第一絕緣層形成有第一過孔和第二過孔,所述第一過孔和所述第二過孔分別對應所述有源層的兩端,所述薄膜晶體管的源極通過所述第一過孔連接所述有源層,所述薄膜晶體管的漏極搭接在所述像素電極之上并通過所述第二過孔連接所述有源層。
在本發明實施例的技術方案中,由于所述薄膜晶體管的漏極搭接在所述像素電極之上并通過所述第二過孔連接所述有源層,可以首先制成像素電極之后,再形成源極和漏極,防止了現有技術中先形成源極、漏極之后再形成像素電極的過程中,銅等金屬制成的源極和漏極等結構暴露在外造成的源極和漏極等結構被氧化等不良現象,保證了源極和漏極的導電能力,保證了陣列基板能夠正常工作,同時保證了產品的良率,保證了用戶的使用體驗。
所述陣列基板還包括數據線,所述數據線與所述薄膜晶體管的源極和漏極位于同一圖層。
所述陣列基板還包括位于所述像素電極之上的第二絕緣層和公共電極。
所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管之下的第二絕緣層和公共電極。
所述陣列基板還包括黑矩陣和彩膜。
本發明第二方面提供了一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發明第三方面提供了一種陣列基板的制備方法,包括:
形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層和像素電極的圖形,所述第一絕緣層包括第一過孔和第二過孔,所述第一過孔和所述第二過孔分別對應所述有源層的兩端;
形成包括薄膜晶體管的源極和漏極的圖形,所述薄膜晶體管的源極通過所述第一過孔連接所述有源層,所述薄膜晶體管的漏極搭接在所述像素電極之上并通過所述第二過孔連接所述有源層。
所述形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層和像素電極的圖形包括:
形成有源層的圖形;
形成第一絕緣層和透明導電薄膜;
對所述第一絕緣層和所述透明導電薄膜進行構圖工藝,形成所述第一絕緣層的第一過孔和第二過孔,并形成所述像素電極。
所述形成包括薄膜晶體管的源極和漏極的圖形包括:
形成薄膜晶體管的源極和漏極的圖形、數據線。
所述的制備方法還包括:
形成第二絕緣層和公共電極,所述第二絕緣層位于所述像素電極和所述公共電極之間。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例中的陣列基板的平面示意圖一;
圖2為圖1的A-A'截面示意圖;
圖3為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖一;
圖4為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖二;
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