[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410224631.1
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN104020621B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 曹占鋒;丁錄科;張文林;孔祥春;張鋒;姚琪;章志興
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括多個陣列排布的像素單元區(qū)域，所述像素單元區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的有源層和所述像素電極之間形成有第一絕緣層，所述第一絕緣層形成有第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔分別對應所述有源層的兩端，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極通過所述第一過孔連接所述有源層，所述薄膜晶體管的漏極搭接在所述像素電極之上并通過所述第二過孔連接所述有源層。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極和漏極位于同一圖層。

3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述像素電極之上的第二絕緣層和公共電極。

4.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管之下的第二絕緣層和公共電極。

5.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括黑矩陣和彩膜。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層和像素電極的圖形，所述第一絕緣層包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔分別對應所述有源層的兩端；

形成包括薄膜晶體管的源極和漏極的圖形，所述薄膜晶體管的源極通過所述第一過孔連接所述有源層，所述薄膜晶體管的漏極搭接在所述像素電極之上并通過所述第二過孔連接所述有源層。

8.根據(jù)權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層和像素電極的圖形包括：

形成有源層的圖形；

形成第一絕緣層和透明導電薄膜；

對所述第一絕緣層和所述透明導電薄膜進行構圖工藝，形成所述第一絕緣層的第一過孔和第二過孔，并形成所述像素電極。

9.根據(jù)權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述形成包括薄膜晶體管的源極和漏極的圖形包括：

形成薄膜晶體管的源極和漏極的圖形、數(shù)據(jù)線。

10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法，其特征在于，還包括：

形成第二絕緣層和公共電極，所述第二絕緣層位于所述像素電極和所述公共電極之間。