[發明專利]FINFET結構及其制造方法有效
| 申請號： | 201410222725.5 | 申請日： | 2014-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN104934472B | 公開（公告）日： | 2018-01-26 |
| 發明（設計）人： | 江國誠;陳冠霖;王昭雄;劉繼文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | finfet 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
襯底，由第一半導體材料形成；
鰭結構，從所述襯底上方突出，其中，所述鰭結構包括：
下部，由所述第一半導體材料形成；
中部，由第二半導體材料形成，所述鰭結構的中部包括氧化物外層；
上部，由所述第一半導體材料形成，其中，所述上部包括連接在第一源極/漏極區和第二源極/漏極區之間的溝道；和
第一碳摻雜層，形成在所述中部和所述上部之間；
第二碳摻雜層，形成在所述第一源極/漏極區下面；以及
第三碳摻雜層，形成在所述第二源極/漏極區下面。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：
柵極區，環繞所述鰭結構的所述溝道。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：
所述第一半導體材料是硅；以及
所述第二半導體材料是碳化硅鍺(SiGeC)。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：
所述第一碳摻雜層由碳化硅(SiC)形成；
所述第二碳摻雜層由SiC形成；以及
所述第三碳摻雜層由SiC形成。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：
所述第二碳摻雜層由碳磷化硅(SiCP)形成；以及
所述第三碳摻雜層由SiCP形成。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：
所述第一源極/漏極區由磷化硅(SiP)形成；以及
所述第二源極/漏極區由SiP形成。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中：
所述氧化物外層由SiGeOx形成，其中，x是以原子百分比計的氧組分。
8.一種半導體器件，包括：
襯底，包括硅；
鰭結構，從所述襯底上方突出，其中，所述鰭結構包括：
下部，由硅形成并且由隔離區環繞；
中部，由碳化硅鍺形成，其中，所述中部由氧化物層包圍；
上部，由硅形成，其中，所述上部包括溝道；和
碳化硅層，形成在所述中部和所述上部之間；
第一源極/漏極區，包括第一磷化硅區和在所述第一磷化硅區下面形成的第一碳化硅層；以及
第二源極/漏極區，包括第二磷化硅區和在所述第二磷化硅區下面形成的第二碳化硅層。
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：
所述第一源極/漏極區的厚度在從30nm至50nm的范圍內；以及
所述第二源極/漏極區的厚度在從30nm至50nm的范圍內。
10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：
所述氧化物層包括SiGeOx，其中，x是以原子百分比計的氧組分。
11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：
所述碳化硅層的厚度在從5nm至15nm的范圍內。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：
以原子百分比計，所述碳化硅層的碳濃度為從0.5％至2％。
13.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：
所述中部的鍺濃度為從20％至45％；以及
所述中部的碳濃度為從0.5％至2％。
14.根據權利要求8所述的半導體器件，其中：
所述碳化硅層還包括磷。
15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中：
所述碳化硅層的磷濃度在從1E20/cm3至5E20/cm3的范圍內。
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