[發(fā)明專利]一種光掩模圖案的修復(fù)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410222368.2
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN105093817A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳葦;王云海
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F1/74
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種光掩模圖案的修復(fù)方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件工藝中，光刻是特別重要的步驟。光刻的本質(zhì)就是將電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進行刻蝕步驟的晶圓上。電路結(jié)構(gòu)首先以一定的比例將圖形形式制作在被稱為光掩模的透明基板上，光源通過該光掩模將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓的光刻膠，進行顯影后，用后續(xù)的刻蝕步驟將圖形成像在晶圓底層薄膜上。

由此可見，在光刻步驟中，光源通過光掩模將圖形復(fù)制到晶圓襯底的光刻膠層。因此，就需要在光掩模上制作圖形。目前主要的光掩模類型有二元式光掩模和衰減式相位偏移光掩模兩種類型。

而隨著光掩模制造技術(shù)的發(fā)展，光掩模圖案的線寬變得越來越小，在制造光掩模時，往往會出現(xiàn)掩膜圖案部分丟失的情況，因此，掩模圖案的修復(fù)是光掩模制造過程中非常重要的步驟。

如圖1～4所示，現(xiàn)有技術(shù)中修復(fù)掩模圖案2A的方法是直接在透明基板1A上待修復(fù)部分21A處沉積修復(fù)材料。由于透明基板1A表面非常光滑且需要修復(fù)的圖案是分散的，因此，在后續(xù)清洗工藝中，修補在透明基板1A上的修復(fù)材料很容易被清洗掉，導(dǎo)致修復(fù)的掩模圖案再次缺失，圖案修復(fù)的成功率難以保證。

因此，提供一種新型的光掩模圖案的修復(fù)圖案是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種光掩模圖案的修復(fù)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中修復(fù)的光掩模圖案容易在清洗工藝中被再次沖洗掉而導(dǎo)致圖案再次缺失的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種光掩模圖案的修復(fù)方法，所述光掩模圖案的修復(fù)方法至少包括步驟：

提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模圖案的遮光層，所述掩模圖案具有待修復(fù)部分；

刻蝕所述透明基板，在與所述待修復(fù)部分對應(yīng)的位置形成與待修復(fù)部分圖案相同的溝槽

沉積修復(fù)材料至所述溝槽中，修復(fù)所述光掩模圖案。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，采用離子束聚焦工藝刻蝕所述玻璃基板在所述透明基板中形成與待修復(fù)部分圖案相同的溝槽。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述離子束聚焦工藝采用Ga或In源，離子束的入射角度范圍選擇為0～1度，離子束電壓為15～30kV，離子束的能量范圍為10～200keV，離子束電流為1.5～7pA，工藝時間持續(xù)2～5分鐘。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，采用化學(xué)氣相沉積工藝沉積所述修復(fù)材料。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述修復(fù)材料的總厚度等于所述透明基板上其他掩模圖案的厚度。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述修復(fù)材料為碳氫的化合物、Cr或Mo。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，完成光掩模圖案修復(fù)后還包括對所述光掩模進行清洗的步驟。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，采用流量為20～30L/min的去離子水對光掩模進行清洗。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述掩模圖案的線寬范圍為80～250nm。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述透明基板為玻璃基板。

作為本發(fā)明光掩模圖案的修復(fù)方法的一種優(yōu)化的方案，所述遮光層為Cr或Mo。

如上所述，本發(fā)明的光掩模圖案的修復(fù)方法，包括步驟：提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模圖案的遮光層，所述掩模圖案具有待修復(fù)部分；刻蝕所述透明基板，在與所述待修復(fù)部分對應(yīng)的位置形成與待修復(fù)部分圖案相同的溝槽；沉積修復(fù)材料至所述溝槽中，修復(fù)所述光掩模圖案。本發(fā)明通過在所述透明基板中制作溝槽并將修復(fù)材料填充在溝槽中，確保修復(fù)完成后，修復(fù)材料與透明基板穩(wěn)固結(jié)合，使之可以經(jīng)受高強度的清洗工藝，避免修復(fù)材料再次缺損，保證光掩模的可靠性，提高光掩模的產(chǎn)率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的提供的待修復(fù)的光掩模俯視圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的提供的待修復(fù)的光掩模剖視圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方法修復(fù)的光掩模俯視圖。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)的修復(fù)方法修復(fù)的光掩模剖視圖。

圖5為本發(fā)明的光掩模圖案修復(fù)方法的工藝流程圖。

圖6為本發(fā)明的光掩模圖案修復(fù)方法提供的具有待修復(fù)部分的光掩模示意圖。