[發明專利]一種光掩模圖案的修復方法在審
| 申請號： | 201410222368.2 | 申請日： | 2014-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN105093817A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 吳葦;王云海 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/72 | 分類號： | G03F1/72;G03F1/74 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光掩模 圖案 修復 方法 | ||
1.一種光掩模圖案的修復方法，其特征在于，所述光掩模圖案修復方法至少包括：
提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模圖案的遮光層，所述掩模圖案具有待修復部分；
刻蝕所述透明基板，在與所述待修復部分對應的位置形成與待修復部分圖案相同的溝槽；
沉積修復材料至所述溝槽中，修復所述光掩模圖案。
2.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：采用離子束聚焦工藝刻蝕所述透明基板在所述透明基板中形成與待修復部分圖案相同的溝槽。
3.根據權利要求2所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述離子束聚焦工藝采用Ga或In源，離子束的入射角度范圍選擇為0～1度，離子束電壓為15～30kV，離子束的能量范圍為10～200keV，離子束電流為1.5～7pA，工藝時間持續2～5分鐘。
4.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：采用化學氣相沉積工藝沉積所述修復材料。
5.根據權利要求4所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述修復材料的總厚度等于所述透明基板上其他掩模圖案的厚度。
6.根據權利要求5所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述修復材料為碳氫化合物、Cr或Mo。
7.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：完成光掩模圖案修復后還包括對所述光掩模進行清洗的步驟。
8.根據權利要求7所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：采用流量為20～30L/min的去離子水對光掩模進行清洗。
9.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述掩模圖案的線寬范圍為80～250nm。
10.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述透明基板為玻璃基板。
11.根據權利要求1所述的光掩模圖案的修復方法，其特征在于：所述遮光層為Cr或Mo。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
