[發(fā)明專利]具有集成裂縫傳感器的半導體部件以及用于檢測半導體部件中裂縫的方法在審

申請?zhí)枺?/td>	201410219302.8	申請日：	2014-05-22
公開（公告）號：	CN104183578A	公開（公告）日：	2014-12-03
發(fā)明（設計）人：	M·聰?shù)聽?/a>;U·施馬爾茨鮑爾;R·策爾扎赫爾	申請（專利權）人：	英飛凌科技股份有限公司
主分類號：	H01L25/00	分類號：	H01L25/00;G01R31/26
代理公司：	北京市金杜律師事務所 11256	代理人：	王茂華;張寧
地址：	德國諾伊***	國省代碼：	德國;DE
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有集成裂縫傳感器半導體部件以及用于檢測方法
鉆瓜網(wǎng) 技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發(fā)明的一些實施例涉及一種具有集成裂縫傳感器的半導體部件。?

背景技術

一般而言，任意半導體部件(例如二極管、或諸如IGFET(絕緣柵場效應晶體管，例如MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管))或IGBT(絕緣柵雙極晶體管))之類的晶體管具有半導體主體。在半導體部件的生產(chǎn)和/或操作期間，可能產(chǎn)生裂縫，并且裂縫可以在半導體主體中傳播。例如，如果在共同的晶片中生產(chǎn)多個半導體部件，并且繼而例如通過切割或其它技術將其彼此分離(即，單片化)，可以從分離線產(chǎn)生這類裂縫。此外，例如由半導體部件中使用的不同材料的不同CTE(CTE＝熱膨脹系數(shù))或半導體部件和承載該半導體部件的襯底的不同CTE引起的機械應變可以導致半導體部件中的裂縫。?

由于這類裂縫，因此只要出現(xiàn)裂縫，半導體部件就可能是有缺陷的，或隨后隨著裂縫在半導體主體中傳播而變得有缺陷。因此，需要避免由半導體部件中裂縫引起的問題。?

發(fā)明內(nèi)容

一種半導體部件具有半導體主體，該半導體主體具有底部側(cè)和在豎直方向上與底部側(cè)遠離間隔的頂部側(cè)。在豎直方向上，半導體主體具有某個厚度。半導體部件還具有裂縫傳感器，其被配置成檢測半導體主體中的裂縫。裂縫傳感器延伸進入半導體主體。裂縫傳?感器和底部側(cè)之間的距離小于半導體主體的厚度。?

在一種用于檢測半導體部件中的裂縫的方法中，半導體部件具有半導體主體，該半導體主體具有底部側(cè)和在豎直方向上與底部側(cè)遠離間隔的頂部側(cè)。在豎直方向上，半導體主體具有某個厚度。半導體部件還具有裂縫傳感器，其被配置成檢測半導體主體中的裂縫。裂縫傳感器延伸進入半導體主體。裂縫傳感器和底部側(cè)之間的距離小于半導體主體的厚度。此外，規(guī)定裂縫傳感器的特征變量的第一值。在與規(guī)定第一值的不同時間處確定裂縫傳感器的相同特征變量的第二值。如果第二值與第一值相差多于預定差值，則半導體主體被確定為具有裂縫。?

本領域技術人員在閱讀下文的具體描述之后并且在瀏覽所附附圖之后將認識到附加的特征和優(yōu)勢。?

附圖說明

現(xiàn)在將參照附圖說明一些示例。附圖用于示出基本原理，從而示出僅用于理解基本原理所必須的一些方面。附圖并不成比例。在附圖中，相同的參考字符表示相似特征。?

圖1是具有裂縫傳感器的半導體部件的俯視圖。?

圖2是圖1的半導體部件的俯視圖，其示出裂縫傳感器的可能趨向(run)。?

圖3A是通過圖1的半導體部件的按截面平面E1-E1和E2-E2的截面的豎直截面圖。?

圖3B是通過圖1的半導體部件的按截面平面E3-E3的截面的豎直截面圖。?

圖4A是通過具有與圖1的半導體部件相同的俯視圖的半導體部件的截面的豎直截面圖，其中截面選取為平面E1-E1和E2-E2。?

圖4B是通過具有與圖1的半導體部件相同的俯視圖的半導體部件的截面的豎直截面圖，其中截面選取為平面E3-E3。?

圖5是圖1的半導體部件的俯視圖，其示出具有二極管的裂縫?傳感器的可能趨向。?

圖6A是是通過具有與圖5的半導體部件相同的俯視圖的半導體部件的截面的豎直截面圖，其中截面選取為平面E1-E1和E2-E2。?

圖6B是通過具有與圖5的半導體部件相同的俯視圖的半導體部件的截面的豎直截面圖，其中截面選取為平面E3-E3。?