[發(fā)明專利]一種嵌入式閃存及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410217820.6
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN105097708A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種嵌入式閃存的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個浮動?xùn)艠O，在相鄰的所述浮動?xùn)艠O之間形成有隔離材料層；

b)對所述隔離材料層進(jìn)行第一回刻蝕，以形成凹槽；

c)在所述浮動?xùn)艠O上和所述第一回刻蝕后的隔離材料層上形成補償層；

d)對所述補償層進(jìn)行刻蝕至露出所述浮動?xùn)艠O的上表面，并對所述第一回刻蝕后的隔離材料層進(jìn)行第二回刻蝕，以形成隔離結(jié)構(gòu)，其中所述隔離結(jié)構(gòu)的上表面呈碗形；以及

e)在所述隔離結(jié)構(gòu)上和所述浮動?xùn)艠O上依次形成介電層和控制柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述d)步驟包括：

對所述補償層進(jìn)行干法刻蝕至露出所述浮動?xùn)艠O的上表面，并在所述凹槽的側(cè)壁上形成側(cè)墻；以及

采用濕法去除所述側(cè)墻并對所述第一回刻蝕后的隔離材料層進(jìn)行所述第二回刻蝕。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用終點控制工藝使所述干法刻蝕恰好停止在所述浮動?xùn)艠O的上表面。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述d)步驟包括：

對所述補償層進(jìn)行濕法刻蝕，至露出所述浮動?xùn)艠O的上表面；以及

采用濕法去除剩余的補償層并對所述第一回刻蝕后的隔離材料層進(jìn)行所述第二回刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補償層是由與所述隔離材料層相同的材料制成。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一回刻蝕后的隔離材料層的上表面距所述浮動?xùn)艠O的上表面的高度為所述浮動?xùn)艠O的高度的1/3到1/2。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一回刻蝕后的隔離材料層的上表面距所述浮動?xùn)艠O的上表面的高度為200埃到300埃。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補償層的厚度為200埃到700埃。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述補償層是采用原子層沉積法形成的。

10.一種嵌入式閃存，其特征在于，所述嵌入式閃存包括：

半導(dǎo)體襯底；

多個浮動?xùn)艠O，其形成在所述半導(dǎo)體襯底上；

隔離結(jié)構(gòu)，其形成在相鄰的所述浮動?xùn)艠O之間，所述隔離結(jié)構(gòu)的上表面低于所述浮動?xùn)艠O的上表面，且所述隔離結(jié)構(gòu)的上表面呈碗形；

介電層，其形成在所述隔離結(jié)構(gòu)上和所述浮動?xùn)艠O上；

控制柵極，其形成在所述介電層上。