[發明專利]紫外掩膜及其制作方法有效
| 申請號: | 201410217015.3 | 申請日: | 2014-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN103969944A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 付延峰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;楊林 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫外 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種制備紫外掩膜(UV MASK)的方法及紫外掩膜。
背景技術
目前在TFT LCD(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)的成盒制程中,Array(陣列)玻璃與CF(Color Filter,彩色濾光片)玻璃完成貼合后,為防止LCD盒內液晶泄露、液晶與框膠反應、外環境污染物侵入等不良影響,需立刻對框膠進行固化處理。參閱圖1,其中:100是紫外掩膜基板,101、102、103、104是框膠硬化裝置對位的十字標記,110是紫外掩膜基板上遮擋顯示區UV光的若干方塊圖形,在框膠固化過程中,需使用紫外掩膜(UV Mask)遮擋顯示區,并漏出顯示區外的框膠;在固化框膠的同時,應避免液晶盒顯示區內液晶受到UV光照射而發生變化。
目前UV Mask基本是在Array玻璃上完成制作,其制作流程依次包括成膜、黃光、蝕刻、剝離、保護膜成膜等工序,其中各工序的要點如下:
成膜:一般使用業界習用的不透光金屬層,因金屬具備低穿透率,可遮擋紫外光。
黃光:目前有兩個曝光方法,其中:
方法一是購買UV Mask遮光掩膜版曝光;
方法二分兩步曝光,其中第一步是用柵極遮光掩膜板曝光用于對位框膠固化裝置的對位標記,其中,一般情況下對位標記會設計在柵極掩膜板上,第二步是利用曝光裝置的擋板遮擋顯示區不曝光,曝光除第一步已曝光區域外的非顯示區,顯影后,顯示區和十字標記位置上有光阻保護,其他非顯示區上光阻與顯影液反應。
以上是Array黃光一般采用正性光阻的情況,如果是負性光阻,第二步則曝光顯示區,遮擋非顯示區不曝光。
其中,方法一相對方法二曝光方法簡單快速,但增加一張遮光掩膜板的成本;方法二利用曝光裝置的擋板進行曝光,其雖然可節省一張UV Mask遮光掩膜板,但曝光方法復雜,速度較慢(其中典型的案例可以參閱CN101986206A)。目前,在曝光裝置擋板精度能夠達到UV Mask精度的情況下,一般會選擇方法二來節約成本。
蝕刻:蝕刻非顯示區的金屬層,而使顯示區金屬被保護留下來。
光阻剝離:即制作出框膠固化裝置的對位十字標記以及遮擋顯示區金屬的UV Mask。
保護膜成膜:在金屬層表面成膜,以保護金屬層不受到腐蝕,可選擇氮化硅、二氧化硅等非金屬膜。
具體請參閱圖2-圖3所示,現有技術中UV Mask(紫外掩膜)的制作工藝主要包括如下步驟:
S210:金屬成膜,即,利用鉻膜等金屬膜202掩蓋Array玻璃基板201,利用金屬膜的低穿透率遮擋紫外光;
S220:Array黃光涂布光阻,即,在金屬膜202上涂布Array黃光光阻203;
S230:Array黃光曝光,即,以Array曝光裝置擋板204遮擋分布于顯示區的Array黃光光阻203,并對非顯示區的Array黃光光阻進行曝光;
S240:Array黃光顯影,即,利用顯影液除去非顯示區的Array黃光光阻,而保留分布于顯示區的Array黃光光阻205;
S250:Array黃光烘烤,即,對保留于顯示區的Array黃光光阻203進行烘烤使之固化;
S260:蝕刻未被Array黃光光阻保護區域的金屬膜;
S270:剝離余留金屬膜表面的Array黃光光阻;
S280:在余留金屬膜的表面形成保護膜206。
很顯然,現有技術中的紫外掩膜的制作方法非常繁瑣,成本較高。
總體來說,前述的采用ARRAY制程來形成UV掩膜板的方式工藝繁瑣,操作復雜,因而使得其作業時間長,成本高昂。
發明內容
針對現有技術中的不足,本發明的目的主要在于提供一種紫外掩膜(UV Mask)的制作方法及紫外掩膜,能夠簡化制作流程,縮短制作周期短。
為實現前述發明目的,本發明采用的技術方案包括:
一種紫外掩膜的制作方法,包括:在彩色濾光片基板上覆設光屏蔽材料,并選擇性地除去分布于所述基板的非顯示區的光屏蔽材料,而保留分布于所述基板的顯示區的光屏蔽材料,從而在所述顯示區形成紫外掩膜。
作為較為具體的實施方案之一,所述紫外掩膜的制作方法可以包括:
在彩色濾光片基板上覆設黑色矩陣光阻材料,并選擇性地除去分布于所述基板的非顯示區的黑色矩陣光阻材料,而保留分布于所述基板的顯示區的黑色矩陣光阻材料,
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





