[發(fā)明專利]紫外掩膜及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410217015.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103969944A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付延峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/68
• 分類號(hào): G03F1/68;G02F1/13
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;楊林

1.一種紫外掩膜的制作方法，其特征在于包括：在彩色濾光片基板上覆設(shè)光屏蔽材料，除去分布于所述基板的非顯示區(qū)的光屏蔽材料，保留分布于所述基板的顯示區(qū)的光屏蔽材料，從而在所述顯示區(qū)形成紫外掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于具體包括：

在彩色濾光片基板上覆設(shè)黑色矩陣光阻材料，除去分布于所述基板的非顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料，保留分布于所述基板的顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料，

以及，使分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料固化，形成所述紫外掩膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)在彩色濾光片基板上覆設(shè)黑色矩陣光阻材料；

(2)選擇性地使分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料和分布于所述非顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料之中的任一者曝光，而使另一者不曝光；

(3)去除分布于所述非顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料，而保留分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料；

(4)使分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料固化，形成所述紫外掩膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于步驟(2)包括：

以黑色矩陣遮光掩膜板曝光用于對(duì)位框膠固化裝置的對(duì)位標(biāo)記，

以及，以彩色濾光片曝光裝置的擋板遮擋所述非顯示區(qū)，使分布于所述非顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料不曝光，而使分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料曝光。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于步驟(3)包括：

以顯影液去除分布于所述非顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于步驟(4)包括：至少選用烘烤方式處理分布于顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料而使之固化。

7.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于，所述黑色矩陣光阻材料包括可因具有選定波長(zhǎng)的光線輻照而改性的黑色樹脂材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述紫外掩膜的制作方法，其特征在于所述方法還包括：使分布于所述顯示區(qū)的黑色矩陣光阻材料固化之后，至少在固化的黑色矩陣光阻材料上形成保護(hù)層，其中，用以組成所述保護(hù)層的材料包括氮化硅、二氧化硅或ITO。

9.一種紫外掩膜，其特征在于包括覆設(shè)于彩色濾光片基板的顯示區(qū)的黑色矩陣光阻層，所述黑色矩陣光阻層的組成材料包括可因光線輻照而改性的黑色樹脂材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的紫外掩膜，其特征在于，至少在所述黑色矩陣光阻層上還覆設(shè)有保護(hù)層，所述保護(hù)層的組成材料包括氮化硅、二氧化硅或ITO。