[發明專利]一種芯片失效分析方法有效
| 申請號： | 201410216695.7 | 申請日： | 2014-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN105092619B | 公開（公告）日： | 2017-09-26 |
| 發明（設計）人： | 殷原梓;高保林;張菲菲 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/22 | 分類號： | G01N23/22;G01N1/32;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 失效 分析 方法 | ||
1.一種芯片失效分析方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
1)提供一待分析測試的樣品，所述樣品包括：襯底、位于所述襯底內的淺溝槽隔離結構、位于所述襯底內、被所述淺溝槽隔離結構隔離成的有源區、位于所述襯底上的摻雜多晶硅層，所述摻雜多晶硅層被分割成若干個N型摻雜多晶硅區域、N型摻雜多晶硅區域和P型摻雜多晶硅區域共享的多晶硅區域、位于所述摻雜多晶硅層上的鎳硅化層、位于所述鎳硅化層上的含有接觸孔的介質層；
2)將所述樣品進行研磨以去除所述含有接觸孔的介質層；
3)去除所述鎳硅化層；
4)使用強堿溶液腐蝕所述摻雜多晶硅層；所述強堿溶液刻蝕掉所述N型摻雜多晶硅區域和P型摻雜多晶硅區域共享的多晶硅區域中的N型摻雜區域，而又不損傷P型摻雜多晶硅區域；
5)將步驟4)之后得到的樣品進行SEM觀察，根據在所述N型摻雜多晶硅區域和P型摻雜多晶硅區域共享的多晶硅區域中的P型摻雜區域內是否形成有侵蝕小坑判斷是否有擴散缺陷。
2.根據權利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于：步驟3)中采用干法刻蝕工藝去除所述鎳硅化層，刻蝕時間為0.5～1.5分鐘；刻蝕所用氣體為CHF3和Ar，所述CHF3和Ar的體積比為2:3；干法刻蝕過程中電離刻蝕氣體形成電漿的功率為90～110W。
3.根據權利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于：在步驟3)之后，步驟4)之前還包括一對步驟3)之后得到的樣品進行超聲波清洗的步驟。
4.根據權利要求3所述的芯片失效分析方法，其特征在于：對所述步驟3)之后得到的樣品進行超聲波清洗的時間為0.5～2分鐘。
5.根據權利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于：步驟4)中所述強堿溶液為NaOH溶液或KOH溶液。
6.根據權利要求5所述的芯片失效分析方法，其特征在于：步驟4)中所述強堿溶液為加熱至80～100℃的NaOH溶液或KOH溶液。
7.根據權利要求1所述的芯片失效分析方法，其特征在于：步驟4)中使用強堿溶液腐蝕所述摻雜多晶硅層的時間為1.5～3分鐘。
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