[發(fā)明專利]一種SRAM輸出鎖存電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410216693.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105097016B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郝旭丹;方偉;史增博;陳雙文;潘勁東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C11/413 | 分類號(hào): | G11C11/413 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 sram 輸出 電路 | ||
1.一種SRAM輸出鎖存電路,其特征在于,所述SRAM輸出鎖存電路至少包括:
靈敏放大器,預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路,RS鎖存電路;
所述靈敏放大器連接于SRAM存儲(chǔ)單元,用于將所述SRAM存儲(chǔ)單元中輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)比較后放大,便于后續(xù)電路對(duì)所述數(shù)據(jù)信號(hào)的識(shí)別;
所述預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路產(chǎn)生預(yù)置位信號(hào),使所述RS鎖存電路預(yù)先輸出高電平信號(hào);
所述RS鎖存電路連接于所述靈敏放大器及所述預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路,用于鎖存及傳輸所述靈敏放大器輸出的信號(hào);
當(dāng)所述靈敏放大器的輸入信號(hào)為“0”時(shí),所述RS鎖存器的輸出信號(hào)由信號(hào)“1”跳變?yōu)樾盘?hào)“0”;當(dāng)所述靈敏放大器的輸入信號(hào)為“1”時(shí),所述RS鎖存器的輸出信號(hào)保持為信號(hào)“1”。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路包括第一反相器和兩輸入的第一與非門,所述第一反相器的輸出端連接于所述第一與非門的一個(gè)輸入端,所述第一反相器的輸入端與所述第一與非門的另一個(gè)輸入端相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述靈敏放大器的輸入端連接一組數(shù)據(jù)信號(hào)取反的位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述靈敏放大器的使能信號(hào)高有效。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路的輸入信號(hào)為時(shí)鐘信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述預(yù)置位信號(hào)為低電平脈沖。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述RS鎖存電路包括第二與非門、第三與非門及第二反相器,所述第二與非門及所述第三與非門的輸入端和輸出端分別交叉耦合,所述第二反相器連接于所述第三與非門的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述第二與非門及所述第三與非門為兩輸入與非門。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM輸出鎖存電路,其特征在于:所述靈敏放大器的輸出端連接于所述RS鎖存電路的復(fù)位端,所述預(yù)置位信號(hào)產(chǎn)生電路的輸出端連接于所述RS鎖存電路的置位端。
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