[發(fā)明專利]ESD保護(hù)器件結(jié)構(gòu)與系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410216652.9
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN105097798A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張炯;施子濤;徐帆;程玉華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海北京大學(xué)微電子研究院
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于集成電路ESD保護(hù)的可控硅器件結(jié)構(gòu)，包括由絕緣層隔開的兩個(gè)P阱，每個(gè)P阱中各有一個(gè)NMOS器件，其特征在于，具有雙向開啟端。

2.如權(quán)利要求1所述的可控硅器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件襯底為P型。

3.如權(quán)利要求1或2所述的可控硅器件，其特征在于，所述器件具有由深N阱以及兩邊的N阱和在N阱上方的絕緣層共同建立的隔絕層。

4.如權(quán)利要求3所述的可控硅器件，其特征在于，P阱內(nèi)部N+源區(qū)和N阱上方N+中間的柵極一起構(gòu)成內(nèi)建的NMOS器件。

5.如權(quán)利要求4所述的可控硅器件，其特征在于，在每個(gè)P阱中，N+源區(qū)和P+源區(qū)有共同的導(dǎo)線引出為開啟端。

6.一種用于集成電路全芯片的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包含4個(gè)權(quán)利要求1中所述可控硅器件。

7.如權(quán)利要求6所述的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，其中第一個(gè)可控硅器件連接于輸入端與接地端之間，第二個(gè)可控硅器件連接于輸出端與接地端之間，第三個(gè)可控硅器件連接于輸入端與電源電壓端之間，第四個(gè)可控硅器件連接于輸出端與電源電壓端之間。

8.如權(quán)利要求7所述的ESD保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，所述4個(gè)可控硅器件與被保護(hù)電路模塊共用接地端。