[發明專利]一種用于減小自加熱效應的SOI高壓結構在審
| 申請號： | 201410216640.6 | 申請日： | 2014-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN105097732A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 徐帆;陳昭;蔣樂樂 | 申請（專利權）人： | 上海北京大學微電子研究院 |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/762 |
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| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 減小 加熱 效應 soi 高壓 結構 | ||
1.一種用于減小自加熱效應的SOI高壓結構，包括頂層硅、介質埋層及位于埋層下方的襯底，其特征在于，襯底層為N型硅或者P型硅，頂層硅和襯底層之間通過介質埋層進行隔離。
2.如權利要求1所述的減小自加熱效應的SOI高壓結構，其特征在于，所述介質埋層材料熱導率大于SiO2。
3.如權利要求1所述的減小自加熱效應的SOI高壓結構，其特征在于，所述介質埋層采用Si3N4。
4.如權利要求3所述的介質埋層結構，其特征在于，介質埋層厚度應為0.08左右μm，小于0.3μm（與電子遷移率等因素有關）。
5.如權利要求3所述的介質埋層結構，其特征在于，該介質埋層為非連續的Si3N4，其上存在多個孔隙。
6.如權利要求5所述的介質埋層結構孔隙，其特征在于，所述孔隙尺寸相同，彼此間距相等。
7.一種減小自加熱效應的SOI高壓結構制造方法，該減小自加熱效應的SOI高壓結構包括介質埋層，包括生成該以Si3N4為材料的介質埋層的步驟，其特征在于，襯底層為N型硅或者P型硅，頂層硅和襯底層之間通過帶有孔隙的介質埋層進行隔離。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述介質埋層材料為Si3N4或者導熱率大于SiO2的其他合適的物質。
9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述介質埋層厚度應為0.08左右μm，小于0.3μm。
10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，介質埋層為具有多個孔隙的非連續結構，孔隙尺寸相同，彼此之間間距相等。
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