[發明專利]一種遮擋盤及反應腔室在審
| 申請號: | 201410213271.5 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN105097606A | 公開(公告)日: | 2015-11-25 |
| 發明(設計)人: | 沈圍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 遮擋 反應 | ||
本發明提供一種遮擋盤及反應腔室,該遮擋盤包括旋轉分部和本體,旋轉分部包括固定端和活動端,固定端與本體的外周壁相連接,且旋轉分部沿本體的周向設置,旋轉分部的活動端在其自身重力的作用下位于原始位置,原始位置定義為旋轉分部的下表面與本體的下表面之間夾角為預設鈍角時活動端所在的位置,在使用遮擋盤遮擋被遮擋物時,通過將旋轉分部的活動端自原始位置頂起至預設最高位置,以使旋轉分部與本體形成可遮擋被遮擋物的遮擋盤。本發明提供的遮擋盤,在存放時的尺寸較小,因而不需要在反應腔室內設置車庫放置該遮擋盤,從而可以降低反應腔室的腔室成本,進而可以提高經濟效益。
技術領域
本發明屬于半導體設備制造技術領域,具體涉及一種遮擋盤及反應腔室。
背景技術
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,以下簡稱PVD)設備是應用比較廣泛的等離子體加工設備,主要用于在基片等被加工工件的表面上沉積薄膜。PVD方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜和電弧等離子體鍍膜,并且,到目前為止,PVD方法不僅可以沉積金屬薄膜,而且可以沉積合金薄膜、化合物薄膜、陶瓷薄膜、半導體薄膜等。
在實際應用中,通常在沉積工藝進行之前,需要對暴露在大氣環境中或者停用一段時間的靶材進行清洗工藝(即,將靶材表面上形成的氧化物或者其他雜質清洗掉),以及在完成預設數量的被加工工件之后,需要對反應腔室內的其他部件進行涂覆工藝(即,對反應腔室內其他部件上沉積一層覆蓋物),為了防止在清洗工藝和涂覆工藝過程中污染承載被加工工件的承載裝置的表面,通常采用遮擋盤對該承載裝置的表面進行遮擋。圖1為具有遮擋盤的反應腔室的結構示意圖。請參閱圖1,反應腔室10包括承載裝置11、用于驅動承載裝置11升降的第一驅動單元12、至少三個頂針13、用于驅動至少三個頂針13升降的第二驅動單元14、用于放置遮擋盤15的車庫16、遮擋盤傳輸裝置和遮擋盤檢測裝置。其中,承載裝置11設置在反應腔室10內,用于承載被加工工件或遮擋盤15,每個頂針13自承載裝置11的下表面貫穿至承載裝置11的上表面,并可在承載裝置11內升降;遮擋盤傳輸裝置包括用于承載遮擋盤15的旋轉臂17和第三驅動單元18,第三驅動單元18的驅動軸19與旋轉臂17的一端相連接,用以驅動該旋轉臂17圍繞該驅動軸19旋轉;遮擋盤檢測裝置包括四個激光對射傳感器(1~4),在該車庫16的上下表面相對位置處設置有觀察窗20,該四對激光對射傳感器(1~4)分別設置在該觀察窗20上,具體設置位置如圖2所示,每個激光對射傳感器具有分別設置在車庫16上下表面的觀察窗20上的接收端和發射端,當發射端發出的激光束能夠到達接收端時,該激光對射傳感器不發出信號;當發射端與接收端之間的激光傳輸路徑被物體遮擋時,發射端發出的激光束不能夠到達接收端,該激光對射傳感器發出信號。
下面詳細地介紹該反應腔室的工作過程,具體地,包括以下步驟:步驟S1,當進行清洗工藝或涂覆工藝時,第三驅動單元18驅動旋轉臂17旋轉,以帶動位于旋轉臂17上的遮擋盤15旋轉至承載裝置11的正上方,第二驅動單元14驅動頂針13上升,將位于旋轉臂17上的遮擋盤15頂起;步驟S2,第三驅動單元18驅動空載的旋轉臂17回轉至車庫16,且當激光對射傳感器1發出信號且激光對射傳感器2不發出信號時,則旋轉臂17到達安全位置,此時第一驅動單元12驅動承載裝置11上升,使得位于頂針13上的遮擋盤15位于承載裝置11的上表面上,此時實現遮擋盤15將承載裝置11遮擋,因此可以進行清洗工藝或涂覆工藝;步驟S3,在清洗工藝或涂覆工藝完成之后,第一驅動單元12驅動承載裝置11下降,使得頂針13將位于承載裝置11上表面的遮擋盤15頂起,第三驅動單元18驅動空載的旋轉臂17旋轉至位于遮擋盤15下方且位于承載裝置11上表面上方的位置,第二驅動單元14驅動頂針13下降,使得遮擋盤15位于該旋轉臂17上;步驟S4,第三驅動單元18驅動承載有遮擋盤15的旋轉臂17回轉至車庫16,當激光對射傳感器(1,2,4)發出信號且激光對射傳感器4不發出信號時,則遮擋環15和旋轉臂17到達安全位置,此時,第三驅動單元18停止驅動,并可以在該工藝腔室內進行沉積工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





