[發(fā)明專利]承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410213132.2
• 申請(qǐng)日: 2014-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN105088167B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武學(xué)偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/50
• 分類號(hào): C23C14/50
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)

在集成電路的制造過程中，通常采用物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，以下簡(jiǎn)稱PVD）技術(shù)進(jìn)行在晶片上沉積金屬層等材料的沉積工藝。如，用于在LED芯片上制備ITO（Indium Tin Oxides，納米銦錫金屬氧化物）薄膜。在實(shí)施工藝時(shí)，由于LED芯片的尺寸較小（通常為2英寸或4英寸等），這就需要承載裝置具有可同時(shí)承載多個(gè)LED芯片的托盤，以及將托盤固定在工藝腔室內(nèi)的基座上的壓環(huán)，以實(shí)現(xiàn)同時(shí)在多個(gè)LED芯片上制備ITO薄膜。

圖1為現(xiàn)有的PVD設(shè)備的剖視圖。如圖1所示，PVD設(shè)備包括反應(yīng)腔室10，在反應(yīng)腔室10內(nèi)的頂部設(shè)置有靶材14；在反應(yīng)腔室10內(nèi)，且位于靶材14的下方設(shè)置有承載裝置，該承載裝置包括托盤12、基座11和壓環(huán)13，其中，托盤12用于承載多個(gè)晶片，如圖2所示；基座11用于承載托盤12，并且基座11可上下移動(dòng)，以使晶片能夠上升至工藝位置或下降至裝卸位置；當(dāng)基座11下降，以使晶片離開工藝位置時(shí)，壓環(huán)13由固定在反應(yīng)腔室10的側(cè)壁上的內(nèi)襯15支撐，而當(dāng)基座11上升，以使晶片位于工藝位置時(shí)，此時(shí)托盤12將壓環(huán)13頂起，壓環(huán)13借助自身重力壓住托盤12上表面的邊緣區(qū)域，以將托盤12固定在基座11上。

上述壓環(huán)13的具體結(jié)構(gòu)如圖3所示，壓環(huán)13與托盤12相互貼合的兩個(gè)貼合面完全貼合，這在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)產(chǎn)生這樣的問題，即：在完成薄膜沉積工藝之后，分別沉積在托盤12上表面與壓環(huán)13上表面上的薄膜會(huì)在二者的結(jié)合處連在一起，當(dāng)基座11下降，壓環(huán)13與托盤12的兩個(gè)貼合面相互脫離時(shí)，此時(shí)位于托盤12上表面與壓環(huán)13上表面的結(jié)合處的薄膜會(huì)脫落下來形成污染顆粒。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種承載裝置、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其不僅可以避免在壓環(huán)與托盤相互脫離時(shí)形成污染顆粒，而且還可以防止壓環(huán)損壞托盤。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種承載裝置，其包括托盤、基座和壓環(huán)，其中，所述托盤用于承載被加工工件；所述基座用于承載托盤；所述壓環(huán)用于將所述托盤固定在所述基座上，所述壓環(huán)下表面具有與所述托盤上表面的邊緣區(qū)域相貼合的環(huán)形平面，并且在所述托盤上表面的邊緣區(qū)域上還設(shè)置有環(huán)形凹部，所述環(huán)形凹部與所述環(huán)形平面的位于所述壓環(huán)環(huán)孔周邊的環(huán)形區(qū)域相重疊，且所述環(huán)形凹部的內(nèi)沿位于所述壓環(huán)環(huán)孔的內(nèi)側(cè)。

優(yōu)選的，所述環(huán)形平面的位于所述壓環(huán)環(huán)孔周邊的環(huán)形區(qū)域在所述壓環(huán)的徑向上的寬度大于所述環(huán)形凹部的深度。

優(yōu)選的，所述環(huán)形凹部的深度的取值范圍在0.5～1mm。

優(yōu)選的，所述環(huán)形平面的位于所述壓環(huán)環(huán)孔周邊的環(huán)形區(qū)域在所述壓環(huán)的徑向上的寬度與所述環(huán)形凹部的深度的比值為5～6。

優(yōu)選的，所述環(huán)形凹部在所述壓環(huán)的徑向上的寬度的取值范圍在6～8mm。

優(yōu)選的，所述壓環(huán)采用不銹鋼材料制作。

優(yōu)選的，所述托盤采用鋁或鋁合金材料制作。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種反應(yīng)腔室，其包括承載裝置，所述承載裝置采用了本發(fā)明提供的上述承載裝置。

優(yōu)選的，還包括基座升降機(jī)構(gòu)，所述基座升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述基座作升降運(yùn)動(dòng)，以使置于其上的所述托盤上的被加工工件上升至工藝位置或下降至裝卸位置，并且在所述反應(yīng)腔室的腔室側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有環(huán)形內(nèi)襯，所述環(huán)形內(nèi)襯的下端向內(nèi)彎曲，并延伸至所述壓環(huán)的底部；當(dāng)所述基座升降機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述基座下降，以使被加工工件離開所述工藝位置時(shí)，所述壓環(huán)由所述內(nèi)襯的下端支撐；當(dāng)所述基座升降機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述基座上升，以使被加工工件位于所述工藝位置時(shí)，所述壓環(huán)脫離所述內(nèi)襯的下端，并借助自身重力壓住所述托盤上表面的邊緣區(qū)域。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室采用了本發(fā)明提供的上述反應(yīng)腔室。

本發(fā)明具有以下有益效果：