[發明專利]承載裝置、反應腔室及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201410213132.2 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN105088167B | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發明(設計)人: | 武學偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 反應 半導體 加工 設備 | ||
1.一種承載裝置,其包括托盤、基座和壓環,其中,所述托盤用于承載被加工工件;所述基座用于承載托盤;所述壓環用于將所述托盤固定在所述基座上,其特征在于,所述壓環下表面具有與所述托盤上表面的邊緣區域相貼合的環形平面,并且在所述托盤上表面的邊緣區域上還設置有環形凹部,所述環形凹部與所述環形平面的位于所述壓環環孔周邊的環形區域相重疊,且所述環形凹部的內沿位于所述壓環環孔的內側。
2.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述環形平面的位于所述壓環環孔周邊的環形區域在所述壓環的徑向上的寬度大于所述環形凹部的深度。
3.根據權利要求2所述的承載裝置,其特征在于,所述環形凹部的深度的取值范圍在0.5~1mm。
4.根據權利要求2或3所述的承載裝置,其特征在于,所述環形平面的位于所述壓環環孔周邊的環形區域在所述壓環的徑向上的寬度與所述環形凹部的深度的比值為5~6。
5.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述環形凹部在所述壓環的徑向上的寬度的取值范圍在6~8mm。
6.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述壓環采用不銹鋼材料制作。
7.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述托盤采用鋁或鋁合金材料制作。
8.一種反應腔室,其包括承載裝置,其特征在于,所述承載裝置采用權利要求1-7任意一項所述的承載裝置。
9.根據權利要求8所述的反應腔室,其特征在于,還包括基座升降機構,所述基座升降機構用于驅動所述基座作升降運動,以使置于其上的所述托盤上的被加工工件上升至工藝位置或下降至裝卸位置,并且
在所述反應腔室的腔室側壁內側設置有環形內襯,所述環形內襯的下端向內彎曲,并延伸至所述壓環的底部;當所述基座升降機構驅動所述基座下降,以使被加工工件離開所述工藝位置時,所述壓環由所述內襯的下端支撐;當所述基座升降機構驅動所述基座上升,以使被加工工件位于所述工藝位置時,所述壓環脫離所述內襯的下端,并借助自身重力壓住所述托盤上表面的邊緣區域。
10.一種半導體加工設備,包括反應腔室,其特征在于,所述反應腔室采用權利要求8-9任意一項所述的反應腔室。
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