[發(fā)明專利]一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410212533.6 | 申請日： | 2014-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN104882512A | 公開（公告）日： | 2015-09-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 習冬勇;龔海波;陳淳;萬小強;高楊 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西瑞晶太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 338000 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 電池 并聯(lián) 電阻 方法 | ||
1.一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，它由如下步驟組成：?
第一步：啟動激光切割機，設置好切割參數(shù)及切割軌跡；?
第二步：將低并聯(lián)電阻電池片置于激光切割機操作平臺上，打開真空閥將低并聯(lián)電阻電池片固定；?
第三步：在氮氣保護下，按所設定的切割軌跡對低并聯(lián)電阻電池片邊緣進行切割；?
第四步：關(guān)閉真空閥，取下電池片；?
第五步：對電池片性能測試及組件功率測試。?
2.按權(quán)利要求1所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第一步中所述切割參數(shù)的設置是：切割電流參數(shù)設置值為6.2～8.6A；激光光斑大小為0.5mm～0.2mm，切割速率為5～10mm/s；第一步中所述切割軌跡是：單邊直線分4段切割或4邊方形連續(xù)切割。?
3.按權(quán)利要求1所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第三步中所述對電池片邊緣進行切割是：在電池片邊緣切以單邊槽形式切割。?
4.按權(quán)利要求1或2或3所述的一種提高晶硅電池片并聯(lián)電阻的方法，其特征在于，第五步中所述對電池片性能測試及組件功率測試，采用的是Halm測試儀。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
