[發明專利]半導體結構及顯示面板

有效

• 申請號: 201410211616.3
• 申請日: 2014-05-19
• 公開（公告）號: CN105097805B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 蔡嘉豪
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;G11C19/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 史新宏

技術領域

本發明涉及一種半導體結構，特別涉及一種具有雙柵極的半導體結構。

背景技術

晶體管是一種具有三個端點的電子元件，分為雙載子接面晶體管(Bipolar Junction Transistor；BJT)和場效應晶體管(Field-Effect Transistor；FET)兩類。場效應晶體管具有三個端點，分別是柵極、源極和漏極。當場效應晶體管的柵極與源極之間的跨壓大于一臨界電壓(threshold voltage)時，便可在晶體管的源極與漏極之間形成一通道。然而，若長時間施加電壓至柵極時，很容易造成臨界電壓發生漂移(shift)。

發明內容

本發明提供一種半導體結構，包括一基底層、一第一導電層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導電層、一第二絕緣層以及一第三導電層。第一導電層形成在基底層之上。第一絕緣層形成在第一導電層之上。半導體層形成在第一絕緣層之上。第二導電層形成在半導體層之上，并具有一第一部分以及一第二部分。第一部分及第二部分彼此獨立。第二絕緣層形成在第二導電層之上。第三導電層形成在第二絕緣層之上。第一導電層、半導體層、第一部分及第二部分構成一第一晶體管。第三導電層、半導體層、第一部分及第二部分構成一第二晶體管。在一第一期間，第一導電層具有一第一電壓電平，第三導電層具有一第二電壓電平。在一第二期間，第一導電層具有一第三電壓電平，第三導電層具有一第四電壓電平。

本發明還提供一種顯示面板，包括一元件基板、一對向基板以及一顯示介質。元件基板具有上述的半導體結構。對向基板相對元件基板設置。顯示介質位于元件基板與對向基板之間。

為讓本發明的特征和優點能更明顯易懂，下文特舉出優選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1為一顯示面板示意圖。

圖2為一元件基板示意圖。

圖3為一控制電路示意圖。

圖4A至圖4D為本發明的半導體結構的俯視圖。

圖5A至圖5D為本發明的半導體結構的剖面示意圖。

圖6為本發明的控制方法的一可能流程圖。

【符號說明】

10：顯示面板；11：對向基板；

12：顯示介質；13：元件基板；

14：柵極驅動電路；15：顯示區域；

100：控制電路； 110、120：控制單元；

130：下拉單元； 140：上拉單元；

300、400：半導體結構； 310、410：基底層；

320、420：第一導電層； 330、430：第一絕緣層；

340、440：半導體層； 350、450：第二導電層；

360、460：第二絕緣層； 370、470：第三導電層；

351、352、451～453：部分；S510、S520：步驟；

341、441：下表面； 342、442：上表面；

OUT：輸出節點； D、D1、D2：漏極；

AL：主動層；E1：第一側；

E2：第二側；SR：移位寄存器；

S：源極； GE1、GE2：柵極；

Z、Za、CK1、CK7、Rst、Out+2、Out-2：信號；

T7、T7a、T12、T12a、T10、T10a、T9、T6a、T5、T5a、T4、T4a：晶體管；

VSSG、VSSA、VDD1、VDD2：電平。

具體實施方式

圖1為本發明的顯示面板的示意圖。如圖所示，顯示面板10包括一對向基板11、一顯示介質12以及一元件基板13。對向基板11相對元件基板13而設置。顯示介質12位于元件基板13與對向基板11之間。

圖2為本發明的元件基板的一可能實施例。如圖所示，元件基板13包括一柵極驅動電路14以及一顯示區域15。本發明并不限定柵極驅動電路14的實施方式。在一可能實施例中，柵極驅動電路14具有多個移位寄存器SR。移位寄存器SR以串行方式連接。