[發明專利]半導體結構及顯示面板有效
| 申請號： | 201410211616.3 | 申請日： | 2014-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN105097805B | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發明（設計）人： | 蔡嘉豪 | 申請（專利權）人： | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L29/78;G11C19/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 顯示 面板 及其 控制 方法 | ||
1.一種半導體結構，包括：
基底層；
第一導電層，形成在該基底層之上；
第一絕緣層，形成在該第一導電層之上；
半導體層，形成在該第一絕緣層之上；
第二導電層，形成在該半導體層之上，并具有第一部分以及第二部分，該第一部分及第二部分彼此獨立；
第二絕緣層，形成在該第二導電層之上；以及
第三導電層，形成在該第二絕緣層之上，
其中，該第一導電層、該半導體層、該第一部分及該第二部分構成第一晶體管，該第三導電層、該半導體層、該第一部分及該第二部分構成第二晶體管；
其中，在第一期間，該第一導電層具有第一電壓電平，該第三導電層具有第二電壓電平，在第二期間，該第一導電層具有第三電壓電平，該第三導電層具有第四電壓電平。
2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第三電壓電平等于該第二電壓電平，該第四電壓電平等于該第一電壓電平。
3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第三電壓電平不等于該第二電壓電平，該第四電壓電平不等于該第一電壓電平。
4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一電壓電平為正電平，該第二電壓電平為負電平。
5.如權利要求1所述的半導體結構，其中在該第一期間，該第一晶體管導通，該第二晶體管不導通；在該第二期間，該第二晶體管導通，該第一晶體管不導通。
6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第一部分及該第二部分的電壓電平保持不變。
7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該第二導電層還包括一第三部分，該第一部分、第二部分及該第三部分各自獨立，該第一導電層、該半導體層、該第二部分及該第三部分構成一第三晶體管，該第三導電層、該半導體層、該第二部分及該第三部分構成一第四晶體管。
8.一種顯示面板，包括：
元件基板，包括如權利要求1所述的該半導體結構；
對向基板，相對該元件基板設置；以及
顯示介質，位于該元件基板與該對向基板之間。
9.如權利要求8所述的顯示面板，其中該元件基板包括移位寄存器，該移位寄存器包括該半導體結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
