[發明專利]多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板

有效

• 申請號: 201410211289.1
• 申請日: 2014-05-19
• 公開（公告）號: CN104599839B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 丁海碩;金斗永;金昶勛;李淳哲;尹鍾現;金基源
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/224;H05K1/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 劉燦強,龔振宇

本申請要求于2013年10月30日在韓國知識產權局提交的第10-2013-0130472號韓國專利申請的權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及一種多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板。

背景技術

根據近來電子產品向小型化發展的趨勢，對小型化和高電容的多層陶瓷電子組件的需求增加。

因此，通過各種方法使介電層和內電極變薄并堆疊。近來，已制造出介電層的厚度減小并且堆疊的介電層的數量增多的多層陶瓷電子組件。

另外，近來已制造出這樣的陶瓷電子組件，即，其介電層使用精細陶瓷粉末形成以便于介電層的纖薄。

此外，根據電子組件的小型化和高電容，其中沒有形成電容的覆蓋層的厚度也減小。

同時，由于多層陶瓷電子組件已被用于例如車輛領域、醫療器械領域等的需要高可靠性的技術領域中，所以需求高可靠性的多層陶瓷電子組件。

在確保高可靠性的情況下，可能存在諸如因外部沖擊而在組件中產生裂紋以及由裂紋的產生導致設備故障等的問題。

一直在進行用于防止在多層陶瓷電子組件中產生翹曲裂紋的技術和產品的研究，但存在限制。

為了防止因翹曲或裂紋引起短路，已經使用在長度方向上在多層陶瓷電子組件中增大邊緣的方法、在板上安裝多層陶瓷電子組件時使用引線框架的方法、使用沖擊吸收材料制造外電極的方法等。

然而，在長度方向上增大其邊緣的方法會難以應用到高電容多層陶瓷電子組件，并且將諸如環氧樹脂等的聚合材料應用到外電極的方法在確保彎曲 強度方面也會存在限制。

此外，在使用金屬引線框架的方法中，可能存在諸如高制造成本以及安裝面積和高度受到限制的問題。

因此，仍需研究用以提高彎曲強度特性同時防止可靠性因裂紋而劣化的技術。

發明內容

本公開的一些實施例可以提供一種多層陶瓷電容器及其上安裝有該多層陶瓷電容器的板。

根據本公開的一些實施例，多層陶瓷電容器可以包括：陶瓷主體，包括介電層；第一內電極和第二內電極，設置在陶瓷主體中以彼此面對，第一內電極和第二內電極具有位于它們之間的介電層；第一外電極和第二外電極，設置為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面。陶瓷主體可以包括作為電容形成部的有效層以及設置在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上的作為非電容部的覆蓋層，覆蓋層在其中包括至少一個緩沖層，當將覆蓋層的厚度定義為tc并將緩沖層的厚度定義為ti時，ti/tc在0.15至0.90的范圍內(0.15≤ti/tc≤0.90)。

在陶瓷主體的沿其長度-厚度方向的剖面中，分層區域可以設置在覆蓋層和緩沖層之間的界面以及緩沖層的內部中的一個或更多個中。

緩沖層可以具有小于介電層的燒結收縮率的燒結收縮率。

緩沖層可以包含從由鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋯(Zr)和鈦(Ti)組成的組中選擇的一種或更多種。

緩沖層可以包含從由鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋯(Zr)和鈦(Ti)組成的組中選擇的一種或更多種，從所述組中選擇的所述一種或更多種中的每種具有10mol％至90mol％的含量。

根據本公開的一些實施例，多層陶瓷電容器可以包括：陶瓷主體，包括介電層；第一內電極和第二內電極，設置在陶瓷主體中以彼此面對，第一內電極和第二內電極具有位于它們之間的介電層；第一外電極和第二外電極，設置為覆蓋陶瓷主體的兩個端表面。陶瓷主體可以包括作為電容形成部的有效層以及設置在有效層的上表面和下表面中的至少一個表面上的作為非電容部的覆蓋層，覆蓋層在其中包括至少一個緩沖層，緩沖層具有小于介電層的 燒結收縮率的燒結收縮率。

在陶瓷主體的沿其長度-厚度方向的剖面中，分層區域可以設置在覆蓋層和緩沖層之間的界面以及緩沖層的內部中的一個或更多個中。

緩沖層可以包含從由鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋯(Zr)和鈦(Ti)組成的組中選擇的一種或更多種。

緩沖層可以包含從由鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋯(Zr)和鈦(Ti)組成的組中選擇的一種或更多種，從所述組中選擇的所述一種或更多種中的每種具有10mol％至90mol％的含量。