[發明專利]WAlN硬質納米結構薄膜及制備方法

有效

• 申請號: 201410211117.4
• 申請日: 2014-05-19
• 公開（公告）號: CN104005002A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 喻利花;許俊華;趙洪艦
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.WAlN硬質納米結構薄膜，其特征在于是采用雙靶共焦射頻反應濺射法在硬質合金或陶瓷基體上沉積得到，薄膜厚度1-3um，含有W、Al、N元素，其中W含量為60at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量為0at.％-40at.％且不等于0，N元素以CrN過渡層的形式存在。

2.WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于是以高純W靶和Al靶為靶材，采用雙靶共焦射頻反應法在硬質合金或陶瓷基體上沉積獲得，沉積時，真空度優于3.0×10^-3Pa，以氬氣起弧，氮氣為反應氣體，氬氮流量比10:(6-15)，濺射氣壓0.3Pa，W含量為60at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量為0at.％-40at.％且不等于0。

3.權利要求2所述的WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于在基體上預先沉積CrN作為過渡層，Cr靶濺射功率為80-150W。

4.權利要求2所述的WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于W含量為61.4at.％-100at.％且不等于100at.％，Al含量為0at.％-38.6at.％。

5.權利要求2所述的WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于W含量為87.97at.％-67.6at.％，Al含量為12.03at.％-32.4at.％且不等于0。

6.權利要求2所述的WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于W含量為67.6at.％，Al含量為32.4at.％。

7.權利要求2所述的WAlN硬質納米結構薄膜的制備方法，其特征在于所述的基體是不銹鋼片或單晶Si片(100)。