[發(fā)明專(zhuān)利]智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法與系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410210055.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104183517B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂一云 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 敖翔科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 郝新慧,章侃銥 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 智能型 弱點(diǎn) 圖形 診斷 方法 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法與系統(tǒng),特別是指利用軟件與硬件架構(gòu)實(shí)現(xiàn)晶圓廠(chǎng)在制造工藝初期即篩選與比對(duì)出弱點(diǎn)圖形的方法與系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在集成電路(integrated?circuit,IC)制造工藝中,薄膜沉積(thin?film?deposition)、光罩曝光(mask?exposure)、黃光微影蝕刻(photolithography?etching)等為必要步驟,其中較難避免在集成電路制造工藝中因?yàn)橐恍╇S機(jī)粒子造成的缺陷與系統(tǒng)性的缺陷使得良率(yield)下降,而低良率則會(huì)升高晶片的成本。因此一個(gè)快速診斷出弱點(diǎn)缺陷的工具在半導(dǎo)體制造工藝上是十分重要的。
并且,當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝尺度愈來(lái)愈小時(shí),傳統(tǒng)的黃光微影蝕刻技術(shù)將面臨光學(xué)上的技術(shù)限制,弱點(diǎn)缺陷圖形(weak?defect?pattern)是復(fù)雜設(shè)計(jì)布局(complex?design?layout)、光學(xué)鄰近修正(Optical?Proximity?Correction)與復(fù)雜制造工藝的結(jié)果,這些弱點(diǎn)缺陷圖形可能會(huì)造成電路設(shè)計(jì)圖形的開(kāi)路或短路,因此導(dǎo)致良率下降的,這些可能是已知的缺點(diǎn)圖形或未知的缺點(diǎn)圖形最好是可以在制造工藝初期(pre-manufacturing?stage)篩選出來(lái),比如在缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)中執(zhí)行弱點(diǎn)圖形篩選。
晶圓廠(chǎng)的操作員可以使用如掃描式電子顯微鏡(scanning?electron?microscope,SEM)監(jiān)看與預(yù)覽,并以電子束掃描工具(e-Beam?scan?tool)檢測(cè)與確認(rèn)晶圓上所謂的致命缺陷(killer?defect)圖形。在晶圓制造工藝初期若沒(méi)有快速又創(chuàng)新的方法可以辨識(shí)出致命的弱點(diǎn)缺陷圖形的方法,晶圓廠(chǎng)可能因?yàn)榱悸什桓叨鵁o(wú)法享受高產(chǎn)量、較長(zhǎng)產(chǎn)品周期的好處。
但通常一般缺陷檢測(cè)與分析工具中也難以準(zhǔn)確在制造工藝初期尋找出上述弱點(diǎn)缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)于一種智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法與系統(tǒng),特別是指利用軟件與硬件架構(gòu)實(shí)現(xiàn)晶圓廠(chǎng)在制造工藝初期即篩選與比對(duì)出弱點(diǎn)圖形的方法與系統(tǒng)。
根據(jù)方法實(shí)施例,智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法可應(yīng)用于一電腦系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的智能型弱點(diǎn)圖形診斷系統(tǒng)中,方法包括于電腦系統(tǒng)中,自缺陷圖形庫(kù)與高失敗頻率的缺陷圖形庫(kù)引入弱點(diǎn)圖形布局,以及取得經(jīng)一制造工藝廠(chǎng)的缺陷檢測(cè)工具所取得的缺陷檢測(cè)數(shù)據(jù)、引入一設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù),以執(zhí)行弱點(diǎn)圖形篩選與過(guò)濾,于此步驟中,比對(duì)缺陷圖形庫(kù)與高失敗頻率的缺陷圖形庫(kù)中記載的弱點(diǎn)圖形與由電腦系統(tǒng)取得的設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù),藉此得到并分類(lèi)出已知弱點(diǎn)圖形群組。
接著可執(zhí)行未知弱點(diǎn)圖形篩選與過(guò)濾,由電腦系統(tǒng)取得的設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)作圖形相似比對(duì),找出不屬于且不相似于缺陷圖形庫(kù)與高失敗頻率的缺陷圖形庫(kù)的弱點(diǎn)圖形,以分類(lèi)取得一未知弱點(diǎn)圖形群組。得出已知弱點(diǎn)圖形群組以及未知弱點(diǎn)圖形群組的分布。
之后,從比對(duì)相似但不同的未知弱點(diǎn)圖形群組分布,取得一待測(cè)物影像,以取得待測(cè)物上弱點(diǎn)圖形的坐標(biāo)位置與度量數(shù)據(jù),之后執(zhí)行影像處理能得到弱點(diǎn)圖形輪廓以及各弱點(diǎn)圖形的尺寸、范圍與數(shù)量,用以判斷系統(tǒng)性的弱點(diǎn)圖形。
執(zhí)行弱點(diǎn)圖形篩選與過(guò)濾的步驟包括一輪廓比對(duì),其中將引入基本比對(duì)元素與基本多邊圖形比對(duì)元素,以及與待測(cè)物上的圖形進(jìn)行比對(duì)。
在輪廓比對(duì)步驟中,可以基本比對(duì)元素或多邊圖形比對(duì)元素與待測(cè)物的涵蓋比率作為判斷基礎(chǔ),輔以基本比對(duì)元素或多邊圖形比對(duì)元素的中心線(xiàn)進(jìn)行比對(duì),于一可允許的寬容度下得到相似的弱點(diǎn)圖形,透過(guò)比對(duì)元素的尺寸與彼此之間的距離、方向與連結(jié)關(guān)系確認(rèn)弱點(diǎn)圖形。
根據(jù)再一實(shí)施例,揭露一電腦系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的智能型弱點(diǎn)圖形診斷系統(tǒng),其中以電腦系統(tǒng)的處理器中執(zhí)行一如上述的智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法。
為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成既定目的所采取的技術(shù)、方法及功效,請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明、附圖,相信本發(fā)明的目的、特征與特點(diǎn),當(dāng)可由此得以深入且具體的了解,然而所附附圖與附件僅提供參考與說(shuō)明用,并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。
附圖說(shuō)明
圖1顯示本發(fā)明智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法的實(shí)施例流程;
圖2顯示本發(fā)明智能型弱點(diǎn)圖形診斷系統(tǒng)的硬件架構(gòu)實(shí)施例示意圖;
圖3以示意圖表示本發(fā)明智能型弱點(diǎn)圖形診斷系統(tǒng)的軟件架構(gòu)實(shí)施例;
圖4所示流程描述本發(fā)明智能型弱點(diǎn)圖形診斷方法中圖形比對(duì)的步驟實(shí)施例;
圖5A至圖5F顯示基本比對(duì)元素與基本多邊圖形比對(duì)元素的示意圖;
圖6A至圖6D顯示基本比對(duì)元素與基本多邊圖形比對(duì)元素中的中心線(xiàn)方法示意圖;
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
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