[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示單元、以及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410209127.4
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104183647B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 加藤祐一
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/136
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

本公開提供了一種薄膜晶體管，該膜晶體管包括：基底；在基底上形成的第一隔離膜；在第一隔離膜上的選擇區(qū)中形成的第二隔離膜，具有針對氫的阻隔性質(zhì)；氧化物半導(dǎo)體層，包括在第二隔離膜上形成的第一部分以及在第一隔離膜上形成的第二部分，其中第一部分作為活性層，以及第二部分具有比第一部分更低的電阻；柵電極，在氧化物半導(dǎo)體層的第一部分上形成并在柵電極與該第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及源電極或者漏電極，電連接到氧化物半導(dǎo)體層的第二部分。第一隔離膜具有針對來自基底的雜質(zhì)的阻隔性質(zhì)，以及化學(xué)的減少氧化物半導(dǎo)體層的特性。

相關(guān)申請的交叉參考

本申請已于2013年5月24日申請日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2013-109773，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種薄膜晶體管(TFT)，例如，使用氧化物半導(dǎo)體的膜晶體管、以及使用TFT的顯示單元和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

本公開涉及一種膜晶體管(TFT)，例如使用氧化物半導(dǎo)體的膜晶體管、以及使用TFT的顯示單元和電子設(shè)備。

氧化鋅、包含氧和銦的氧化物、以及其它的氧化物展現(xiàn)優(yōu)良半導(dǎo)體(活化層)特性。為了將這些氧化物應(yīng)用到例如薄膜晶體管(TFT)、發(fā)光器件、以及透明導(dǎo)電膜的電子器件，因此加速了氧化物的研究和發(fā)展。已知當(dāng)該氧化物被施加到TFT的活性層(溝道)時，與由非晶硅制成的TFT相比，所述TFT展現(xiàn)較大的電子遷移率以及優(yōu)越的電特性。此外，即使例如在大約為室溫的低溫條件下形成的時候，由氧化物制成的TFT具有較大的電子遷移率的潛能。

當(dāng)半導(dǎo)體器件在例如由硅(Si)或者玻璃制成的基底上形成時，氮化硅膜或者氧化硅膜用作為阻擋來自基底的雜質(zhì)(例如堿離子)對半導(dǎo)體器件的侵入的隔離膜。例如，日本未經(jīng)審查專利申請公開第2012-164873描述的TFT，其中氧化物半導(dǎo)體在基底的表面形成，并在氧化物半導(dǎo)體與基地表面之間具有隔離膜。

發(fā)明內(nèi)容

如上所述，由氧化物半導(dǎo)體制成的TFT被要求確保隔離性能并且展現(xiàn)優(yōu)良的晶體管特性。

希望提供能夠達到優(yōu)良的晶體管特性的薄膜晶體管、顯示單元、以及電子設(shè)備。

根據(jù)本公開的實施方式的薄膜晶體管包括：基底；在基底上形成的第一隔離膜；在第一隔離膜上的選擇區(qū)中形成的第二隔離膜，其具有針對氫的不透氣性；氧化物半導(dǎo)體層，包括在第二隔離膜上形成的第一部分以及在第一隔離膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作為活性層，以及第二部分的電阻低于第一部分；柵電極，在氧化物半導(dǎo)體層的第一部分上形成，在柵電極與該第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及源電極或者漏電極，電連接到氧化物半導(dǎo)體層的第二部分。第一隔離膜具有針對來自基底的雜質(zhì)的阻隔性質(zhì)，以及化學(xué)還原氧化物半導(dǎo)體層的特性。

根據(jù)本公開的實施方式配有多個像素的顯示單元。每一個像素配有薄膜晶體管。每一個薄膜晶體管包括：基底；在所述基底上形成的第一隔離膜；在第一隔離膜上的選擇區(qū)中形成的第二隔離膜，具有針對氫的阻隔性質(zhì)；氧化物半導(dǎo)體層，包括在第二隔離膜上形成的第一部分以及在第一隔離膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作為活性層以及第二部分具有比第一部分更低的電阻；柵電極，在氧化物半導(dǎo)體層的第一部分上形成，并且在柵電極與該第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及源電極或者漏電極，電連接到氧化物半導(dǎo)體層的第二部分。第一隔離膜具有針對來自基底的雜質(zhì)的阻隔性質(zhì)，以及化學(xué)還原氧化物半導(dǎo)體層的特性。