[發明專利]薄膜晶體管、顯示單元、以及電子設備

有效

• 申請號: 201410209127.4
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104183647B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 加藤祐一
• 申請（專利權）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;G02F1/136
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管，包括：

基底；

第一隔離膜，形成在所述基底上；

第二隔離膜，在所述第一隔離膜上的選擇區中形成，并且具有針對氫的阻隔性質；

氧化物半導體層，包括在所述第二隔離膜上形成的第一部分以及在所述第一隔離膜上形成的第二部分，所述第一部分作為活性層，以及所述第二部分具有比所述第一部分低的電阻；

柵電極，在所述氧化物半導體層的所述第一部分上形成，并在所述柵電極與所述第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及

源電極或者漏電極，電連接到所述氧化物半導體層的所述第二部分，

所述第一隔離膜具有針對來自所述基底側的雜質的阻隔性質，以及針對所述氧化物半導體層的還原特性，并且所述第一隔離膜包含氫，通過包含于第一隔離膜中的氫奪取包含于氧化物半導體層的膜中的氧鍵，使所述氧化物半導體層的電子密度增加以及電阻減小。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，

所述第一隔離膜包括氮化硅和氮氧化硅中的一者或兩者，以及

所述第二隔離膜為包括氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁和氧化鈦中的一個或多個的單層膜或者層疊膜。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述基底由可撓性樹脂材料制成。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧化物半導體層的所述第二部分形成為與所述第一隔離膜接觸。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述柵電極和所述柵極絕緣膜被圖案化為彼此相同的形狀。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述氧化物半導體層的所述第二部分被利用以形成保持電容。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述源電極或者漏電極被提供為與所述氧化物半導體層的所述第二部分的一部分相對。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述第一隔離膜是單層膜。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述第一隔離膜是多層膜。

10.一種設置有多個像素的顯示單元，每一個所述像素設置有薄膜晶體管，每一個所述薄膜晶體管包括：

基底；

第一隔離膜，形成在所述基底上；

第二隔離膜，在所述第一隔離膜上的選擇區中形成，并且具有針對氫的阻隔性質；

氧化物半導體層，包括在所述第二隔離膜上形成的第一部分以及在所述第一隔離膜上形成的第二部分，所述第一部分作為活性層，以及第二部分具有比所述第一部分低的電阻；

柵電極，在所述氧化物半導體層的所述第一部分上形成，并在所述柵電極與所述第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及

源電極或者漏電極，電連接到所述氧化物半導體層的所述第二部分，

所述第一隔離膜具有針對來自所述基底側的雜質的阻隔性質，以及針對所述氧化物半導體層的還原特性，并且所述第一隔離膜包含氫,通過包含于第一隔離膜中的氫奪取包含于氧化物半導體層的膜中的氧鍵，使所述氧化物半導體層的電子密度增加以及電阻減小。

11.根據權利要求10所述的顯示單元，其中，所述顯示單元為有機電致發光顯示單元。

12.一種設置有顯示單元的電子設備，所述顯示單元設置有多個像素，每一個所述像素設置有薄膜晶體管，每一個所述薄膜晶體管包括：

基底；

第一隔離膜，形成在所述基底上；

第二隔離膜，在所述第一隔離膜上的選擇區中形成，并且具有針對氫的阻隔性質；

氧化物半導體層，包括在所述第二隔離膜上形成的第一部分以及在所述第一隔離膜上形成的第二部分，所述第一部分作為活性層，以及所述第二部分具有比所述第一部分低的電阻；

柵電極，在所述氧化物半導體層的所述第一部分上形成，并在所述柵電極與所述第一部分之間具有柵極絕緣膜；以及

源電極或者漏電極，電連接到所述氧化物半導體層的所述第二部分，

所述第一隔離膜具有針對來自所述基底側的雜質的阻隔性質，以及針對所述氧化物半導體層的還原特性，并且所述第一隔離膜包含氫,通過包含于第一隔離膜中的氫奪取包含于氧化物半導體層的膜中的氧鍵，使所述氧化物半導體層的電子密度增加以及電阻減小。