[發(fā)明專利]激光勘查裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410209052.X
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104020109B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 李陽;楊洋
• 申請（專利權(quán)）人: 李陽;楊洋
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01
• 代理公司: 北京智匯東方知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)11391
• 代理人: 康正德,薛峰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及勘查技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及激光勘查裝置。

背景技術(shù)

公安刑偵現(xiàn)場勘查中需要發(fā)現(xiàn)的痕跡包括大量生物質(zhì)痕跡、例如血液、吐液、精液、汗液等等，現(xiàn)場勘查光源既要保證能夠有效發(fā)現(xiàn)這些痕跡又要保證現(xiàn)場勘查光源發(fā)射的光束單位面積能量不能太大否則會破壞生物質(zhì)痕跡包含的DNA、這種要求從技術(shù)上可分為兩個指標、一方面要求就是發(fā)射光源在痕跡的熒光激發(fā)波長范圍內(nèi)要足夠亮從而激發(fā)出痕跡較亮的熒光、另一方面要求發(fā)射光源的光能量單位面積內(nèi)不能太大、不會破壞生物質(zhì)痕跡中的DNA。

由于激光是一種相干光源、激光束具有很強的散斑特性，也就是激光束的能量不是均勻分布的、是匯聚到各個散斑點上的，在很小的散斑點上集中了大部分的激光能量，現(xiàn)有技術(shù)中采用單一激光器發(fā)射的激光束其散斑點的能量與激光發(fā)射功率成正比、大功率的激光束、會在這些散斑點上形成局部燒灼現(xiàn)象、對保護DNA非常不利。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個目的是要提供一種不會破壞痕跡的激光勘查裝置。

本發(fā)明提供了一種激光勘查裝置，發(fā)射用于現(xiàn)場勘查的光束，包括：多個半導體激光單元，以陣列方式設置在底座上；匯聚反射鏡，設置在半導體激光單元陣列上方以反射多個半導體激光單元發(fā)射的激光匯聚到出光口以形成出射光束；和調(diào)焦透鏡部件，設置在出光口，調(diào)焦透鏡部件用于對出射光束進行調(diào)節(jié)。

進一步地，底座具有按陣列分布的安裝槽，半導體激光單元設置在安裝槽內(nèi)；半導體激光單元包括：半導體激光管和套設在半導體激光管上的準直透鏡。

進一步地，匯聚反射鏡朝向半導體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈階梯狀，反射鏡面每個階梯面上均設置有多個拋物面反射鏡，拋物面反射鏡的數(shù)量與半導體激光單元的數(shù)量相同，并且每個拋物面反射鏡與每個半導體激光單元的位置一一對應以反射半導體激光單元發(fā)射的激光。

進一步地，拋物面反射鏡的形狀計算公式為：Y²＝2PX；其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是100mm至100mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Y為拋物面凹陷部分的深度。

進一步地，匯聚反射鏡朝向半導體激光單元陣列的一面為反射鏡面，反射鏡面呈階梯狀，反射鏡面的階梯面與半導體激光單元對應設置，反射鏡面的階梯面對一排半導體激光單元發(fā)射的激光進行反射。

進一步地，匯聚反射鏡朝向半導體激光單元的一面為反射鏡面，反射鏡面呈拋物面狀。

進一步地，反射鏡面的拋物面的計算公式為：Y²＝2PX；其中，P為拋物面系數(shù)，范圍是100mm至500mm之間；X為拋物面凹陷部分的半徑；Y為拋物面凹陷部分的深度。

進一步地，每個半導體激光單元的激光發(fā)射方向?qū)史瓷溏R面的中心。

進一步地，半導體激光單元傾斜安裝在底座上，半導體激光單元與底座所在平面之間的安裝角度為60度至120度。

進一步地，激光勘查裝置還包括冷卻風扇和電源，冷卻風扇連接在底座上，冷卻風扇朝向半導體激光單元進行吹風，電源通過導線連接半導體激光單元。

與傳統(tǒng)光源例如LED光源、鹵素燈光源相比：本實施例采用激光技術(shù)、發(fā)射的激光具有極窄的發(fā)射帶寬、一方面在特定激發(fā)波長內(nèi)形成高亮度滿足痕跡熒光激發(fā)的要求、另一方面利用激光發(fā)射波普窄的特點降低發(fā)射光束的能量、滿足保護生物質(zhì)DNA的要求、例如常用405nm激發(fā)波長、激光光源發(fā)射光束的能量集中在405nm激發(fā)波長范圍內(nèi)、而在其他非激發(fā)波長上分布的能量極小、在同等熒光激發(fā)強度的情況下激光光源發(fā)射的激光束能量只是傳統(tǒng)光源發(fā)射的激發(fā)光束的1/10、有利于保護DNA、有效實現(xiàn)生物質(zhì)痕跡勘查的要求。

根據(jù)下文結(jié)合附圖對本發(fā)明具體實施例的詳細描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會更加明了本發(fā)明的上述以及其他目的、優(yōu)點和特征。

附圖說明

后文將參照附圖以示例性而非限制性的方式詳細描述本發(fā)明的一些具體實施例。附圖中相同的附圖標記標示了相同或類似的部件或部分。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解，這些附圖未必是按比例繪制的。附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的激光勘查裝置的示意圖；

圖2是圖1所示激光勘查裝置的另一個方向的示意圖；

圖3是圖1所示激光勘查裝置的半導體激光單元的示意圖；

圖4是圖1所示激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的激光勘查裝置的匯聚反射鏡的示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的激光勘查裝置的部分結(jié)構(gòu)示意圖；