[發明專利]激光勘查裝置

有效

• 申請號: 201410209052.X
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104020109B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 李陽;楊洋
• 申請（專利權）人: 李陽;楊洋
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙)11391
• 代理人: 康正德,薛峰

1.一種激光勘查裝置，發射用于現場勘查的光束，其特征在于，包括：

多個半導體激光單元(30)，以陣列方式設置在底座(10)上；

匯聚反射鏡(40)，設置在半導體激光單元陣列上方以反射所述多個半導體激光單元(30)發射的激光匯聚到進光口(21)，經過設置在所述進光口(21)處的散射片進行混合，通過出光口(22)形成出射光束；和

調焦透鏡部件(20)，設置在所述出光口(22)，調焦透鏡部件(20)用于對所述出射光束的發射角度進行調節；

所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41)，所述反射鏡面(41)呈階梯狀，所述反射鏡面(41)每個階梯面上均設置有多個拋物面反射鏡(42)，所述拋物面反射鏡(42)的數量與所述半導體激光單元(30)的數量相同，并且每個所述拋物面反射鏡(42)與每個所述半導體激光單元(30)的位置一一對應以反射所述半導體激光單元(30)發射的激光；或者，所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41)，所述反射鏡面(41)呈拋物面狀。

2.根據權利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，

所述底座(10)具有按陣列分布的安裝槽，所述半導體激光單元(30)設置在所述安裝槽內；

所述半導體激光單元(30)包括：半導體激光管(301)和套設在所述半導體激光管(301)上的準直透鏡(302)。

3.根據權利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述拋物面反射鏡(42)的形狀計算公式為：Y2＝2PX；其中，

P為拋物面系數，范圍是100mm至500mm之間；

Y為所述拋物面凹陷部分的半徑；

X為所述拋物面凹陷部分的深度。

4.根據權利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，呈拋物面狀的所述反射鏡面(41)的拋物面的計算公式為：Y2＝2PX；其中，

P為拋物面系數，范圍是100mm至500mm之間；

Y為所述拋物面凹陷部分的半徑；

X為所述拋物面凹陷部分的深度。

5.根據權利要求4所述的激光勘查裝置，其特征在于，每個所述半導體激光單元(30)的激光發射方向對準呈拋物面狀的所述反射鏡面(41)的中心。

6.根據權利要求5所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述半導體激光單元(30)傾斜安裝在所述底座(10)上，所述半導體激光單元(30)與所述底座(10)所在平面之間的安裝角度為60度至120度。

7.根據權利要求1所述的激光勘查裝置，其特征在于，所述激光勘查裝置還包括冷卻風扇(50)和電源(60)，所述冷卻風扇(50)連接在所述底座(10)上，所述冷卻風扇(50)朝向所述半導體激光單元(30)進行吹風，所述電源(60)通過導線連接所述半導體激光單元(30)。