[發明專利]具有鍍覆的引線的集成電路封裝系統及其制造方法有效
| 申請號: | 201410208591.1 | 申請日: | 2014-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN104167368B | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發明(設計)人: | E·埃斯皮里圖;H·D·巴贊;B·T·杜 | 申請(專利權)人: | 新科金朋有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京嘉和天工知識產權代理事務所(普通合伙) 11269 | 代理人: | 嚴慎;支媛 |
| 地址: | 新加坡56*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 未處理 蝕刻掩模 上表面 集成電路封裝系統 槽形成 封裝體 引線框 沉積 集成電路管芯 懸垂 包封 鍍層 鍍覆 掩模 移除 制造 | ||
集成電路封裝系統及其制造方法,所述方法包括:提供具有未處理的引線的引線框;在所述未處理的引線的上表面上沉積蝕刻掩模,所述未處理的引線具有所述蝕刻掩模以及所述上表面的未形成掩模的部分;將集成電路管芯連接到所述未處理的引線;利用封裝體包封所述引線框,所述未處理的引線的所述上表面從所述封裝體露出;形成可側焊的引線,所述形成可側焊的引線的步驟包括在所述未處理的引線中形成槽,所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下,所述在所述未處理的引線中形成槽,所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下的步驟包括在所述槽之上形成所述蝕刻掩模的懸垂部分;移除所述蝕刻掩模;以及在所述可側焊的引線上沉積鍍層。
技術領域
本發明總地涉及集成電路封裝系統,并且更具體地,涉及具有鍍覆的引線(platedlead)的系統。
背景技術
很大程度上受對以用于緊湊的或便攜的電子裝置(例如移動電話、智能手機、個人媒體系統、超便攜計算機)的較小芯片尺寸增大處理能力的需求的驅使,半導體芯片已經變得日益復雜。
針對封裝集成電路(IC)管芯存在眾多常規工藝。舉例來說,許多IC封裝使用已經從金屬片被沖壓或蝕刻來向外部器件提供電氣互連的金屬引線框(leadframe)。管芯可以通過接合導線、焊接凸起或其他適合的電氣連接的方式被電氣連接到引線框。
一般來說,管芯和引線框的部分利用模塑材料來包封(encapsulate),以保護管芯的有源側(active side)的精細電氣部件,同時使引線框的被選擇的部分露出,來便利到外部器件的電氣連接。
響應于較小的芯片尺寸,已經逐步形成了封裝技術,例如來使得增大的引線密度能夠實現,這可以減少印刷電路板(PCB)上安裝的封裝的所占面積。某些封裝技術可以通過提供連接到引線框的可棄置部分的數行引線來使得這一增大的引線密度能夠實現。
以附加方式進一步減小封裝尺寸可能是合乎期望的。同時,保持封裝和連接的充分結構完整性可能是合乎期望的。還可以是合乎期望的是,構想出被設計來滿足這些目標的封裝工藝。當前的封裝方案可以滿足這些目標中的一些,但可能無法滿足這些目標中的大部分或全部。
因此,仍然存在對更好的制造方法的需求。鑒于對可靠性的需求,找到針對這些問題的解決辦法是越來越關鍵的。鑒于持續增加的商業競爭壓力連同增長的消費者預期以及市場中獲得有意義的產品差異機會的逐漸減少,找到這些問題的解決辦法是越來越關鍵的。另外,對于降低成本、提高效率和改善性能以及滿足競爭壓力的需要為找到這些問題的答案的關鍵必要性增添了更大的緊迫性。
長久以來一直在尋求對于這些問題的解決方案,但是之前的發展尚未教導或建議任何解決方案,因此,對于這些問題的解決方案長久以來一直困惑本領域的技術人員。
發明內容
本發明提供集成電路封裝系統的制造方法:提供具有未處理的引線的引線框;在所述未處理的引線的上表面上沉積蝕刻掩模,所述未處理的引線具有所述蝕刻掩模以及所述上表面的未形成掩模的部分;將集成電路管芯連接到所述未處理的引線;利用封裝體(packagebody)包封所述引線框,所述未處理的引線的所述上表面從所述封裝體露出;形成可側焊的(side-solderable)引線,所述形成可側焊的引線的步驟包括在所述未處理的引線中形成槽,所述在所述未處理的引線中形成槽,所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下的步驟包括在所述槽之上形成所述蝕刻掩模的懸垂部分;移除所述蝕刻掩模;以及在所述可側焊的引線上沉積鍍層。
除了以上提及的步驟或元件之外或者替代以上提及的步驟或元件,本發明的特點實施方案具有其他步驟或元件。當參照附圖進行以下詳細描述時,通過閱讀該詳細描述,這些步驟或元件對于本領域的技術人員將變得清楚。
附圖說明
圖1是本發明的實施方案中的集成電路封裝系統的等軸測頂視圖。
圖2是由圖1的虛線矩形2描繪的小圖中的圖1的詳細視圖。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





