[發(fā)明專利]具有鍍覆的引線的集成電路封裝系統(tǒng)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410208591.1
• 申請(qǐng)日: 2014-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN104167368B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·埃斯皮里圖;H·D·巴贊;B·T·杜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京嘉和天工知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11269
• 代理人: 嚴(yán)慎;支媛

1.一種集成電路封裝系統(tǒng)的制造方法，所述方法包括：

提供具有未處理的引線的引線框；

在所述未處理的引線的上表面上沉積蝕刻掩模，所述未處理的引線具有所述蝕刻掩模以及所述上表面的未形成掩模的部分；

將集成電路管芯連接到所述未處理的引線；

利用封裝體包封所述引線框，所述未處理的引線的所述上表面從所述封裝體露出；

蝕刻所述未處理的引線來從所述封裝體露出可側(cè)焊的引線，并且在所述未處理的引線中蝕刻槽，所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下，所述在所述未處理的引線中蝕刻槽，所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下的步驟包括在所述槽之上形成所述蝕刻掩模的懸垂部分；

移除所述蝕刻掩模；以及

在所述可側(cè)焊的引線上沉積鍍層。

2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中移除所述蝕刻掩模的步驟包括對(duì)所述蝕刻掩模應(yīng)用干拋光工藝以移除所述蝕刻掩模的所述懸垂部分和剩余部分。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述蝕刻掩模的步驟包括：

對(duì)所述懸垂部分應(yīng)用高壓修邊工藝；以及

對(duì)所述蝕刻掩模應(yīng)用干拋光工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述蝕刻掩模的步驟包括：

對(duì)所述懸垂部分和所述上表面應(yīng)用化學(xué)修邊工藝；以及

去除所述蝕刻掩模。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述蝕刻掩模的步驟包括對(duì)所述蝕刻掩模應(yīng)用化學(xué)機(jī)械平面化工藝。

6.一種集成電路封裝系統(tǒng)的制造方法，所述方法包括：

提供具有未處理的引線的引線框；

在所述未處理的引線的上表面上沉積蝕刻掩模，所述未處理的引線具有所述蝕刻掩模以及所述上表面的未形成掩模的部分；

將集成電路管芯連接到所述未處理的引線；

利用封裝體包封所述引線框和所述集成電路管芯，所述未處理的引線的所述上表面從所述封裝體露出；

蝕刻通過所述上表面的所述未形成掩模的部分來從所述未處理的引線形成可側(cè)焊的引線，所述形成可側(cè)焊的引線的步驟包括在所述未處理的引線中形成槽，所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下，所述在所述未處理的引線中形成槽，所述槽形成在所述蝕刻掩模的一部分之下的步驟包括在所述槽之上形成所述蝕刻掩模的懸垂部分；

移除所述蝕刻掩模；以及

在所述可側(cè)焊的引線上沉積鍍層。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中提供所述引線框的步驟包括提供具有管芯載盤的引線框。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中在上表面上沉積蝕刻掩模的步驟包括沉積所述蝕刻掩模使得未形成掩模的部分位于所述上表面的邊緣。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中蝕刻通過所述上表面的所述未形成掩模的部分的步驟包括應(yīng)用各向同性蝕刻工藝。

10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中利用所述封裝體包封的步驟包括包封所述集成電路管芯。